[其他]陰極電弧源離子滲金屬技術及設備

無效

• 申請號: 88100549
• 申請日: 1988-02-11
• 公開（公告）號: CN88100549A
• 公開（公告）日: 1988-08-03
• 發明（設計）人: 王福貞;周友蘇;劉文郁
• 申請（專利權）人: 北京聯合大學機械工程學院機電技術開發服務公司
• 主分類號: C23C10/00
• 分類號: C23C10/00;C23C14/32
• 代理公司: 鐵道部科技情報所鐵路專利咨詢服務中心
• 代理人: 羅迎難

1、在真空高溫狀態下對工件(10)進行等離子體滲金屬的技術和設備：

①其技術特征是采用陰極電弧蒸發器(14)作離子滲金屬時的蒸發源、離化源和加熱源，利用低氣壓弧光放電產生高密度金屬離子流，同時對工件(10)提高負偏壓，提高金屬離子到達工件(10)的能量，以此對被處理工件(10)表面形成滲層的技術；

②其設備特征是裝有一個或多個陰極電弧蒸發器(14)，并配置適量的支架(1)、機械泵(2)、擴散泵(3)、底盤(4)、真空室(5)、觀察窗(6)、負偏壓電源(7)、陰極夾具(8)、絕緣密封件(9)(13)、進氣裝置(11)、源極靶材(12)、弧源電源(15)、引弧電極(16)等裝置的組合形成的設備。

2、根據權利要求1所述的離子滲金屬技術，其特征是陰極電弧蒸發器（14）在工作時處于水冷卻狀態，它產生低氣壓場致發射型弧光放電，電壓范圍是16～30V，放電電流范圍50～200A。

3、根據權利要求2所述的離子滲金屬技術，其特征是工件（10）的工作負偏壓范圍500～2000V，工作溫度范圍800～1400℃。

4、根據權利要求3所述的離子滲金屬技術，其特征是真空室的工作氣壓范圍是10^-5～10^-1torr。

5、根據權利要求4所述的離子滲金屬設備，其特征是陰極電弧蒸發器（14）是磁控式的或氣控式的。

6、根據權利要求5所述的離子滲金屬設備，其特征是弧源電源是直流式的，負偏壓電源（7）是直流式的或脈沖式的。

7、根據權利要求6所述的離子滲金屬設備，其特征是真空室（5）的形狀是箱形的或筒形的或球形的，其結構是單間室的或是多間室的。