[其他]復合外腔半導體激光器

無效

• 申請號: 87215998
• 申請日: 1987-12-08
• 公開（公告）號: CN87215998U
• 公開（公告）日: 1988-10-05
• 發明（設計）人: 霍玉晶;許知止;周炳琨
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01S3/19
• 分類號: H01S3/19;H01S3/08
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 黃學信,胡蘭芝

1、一種復合外腔半導體激發器，它是由激光二極管、自聚焦透鏡、反射鏡、調整機構和致冷裝置組成，由位于耦合腔一側端面鍍有適當增透膜的激光二極管的兩個端面構成本征腔，由自聚焦透鏡和部分反射鏡構成光反饋和光輸出系統，其特征在于激光二極管未鍍增透膜的一端和兩面介質膜部分反射鏡分別組成兩個耦合外腔，全部結構粘為一個整體，密封在外殼內，殼內充有保護氣體。

2、一種復合外腔半導體激光器，它是由激光二極管、自聚焦透鏡反射鏡、調整機構和致冷裝置組成，由位于耦合腔一側端面鍍有適當增透膜的激光二極管的兩個端面構成本征腔，由自聚焦透鏡和部分反射鏡構成光反饋和光輸出系統，其特征在于自聚焦透鏡的左端鍍有增透膜，右端鍍有介質部分反射膜，它和另一介質膜部分反射鏡與激光二相管左端面形成復合外腔，全部結構粘為一個整體，密封在外殼內，殼內充有保護氣體。

3、根據權利要求1、2所述的復合外腔半導體激光器，其特征在于所述的自聚焦透鏡是在非反射面鍍有增透膜的兩端為平面的柱體。

4、根據權利要求1、2所述的復合外腔半導體激光器，其特征在于所述的自聚焦透鏡是在非反射面鍍有增透膜的，在接近激光二極管的端面為凸球面，另一端為平面的柱體。

5、根據權利要求1、2所述的復外腔半導體激光器，其特征在于其機械結構用熱脹系數小的殷鋼、石英玻璃、微晶玻璃、超微晶玻璃制成。