[其他]光電電位器圓盤

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87211214
• 申請(qǐng)日: 1987-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN87211214U
• 公開（公告）日: 1988-10-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹瑞祥;劉常德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新躍儀表廠
• 主分類號(hào): H01L31/08
• 分類號(hào): H01L31/08
• 代理公司: 上海航天局專利事務(wù)所
• 代理人: 孟進(jìn),陳平

本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，特別涉及一種半導(dǎo)體光敏器件。

光電電位器是一種新型的電位器，具有無接觸，無摩擦，分辨率高和輸出信號(hào)連續(xù)等優(yōu)點(diǎn)。在國防和科研等領(lǐng)域具有很高的使用價(jià)值。它具有上述優(yōu)點(diǎn)主要取決于光電電位器圓盤。為此國內(nèi)外都在研究光電電位器圓盤的構(gòu)成。目前使用的光電電位器圓盤尚存在飄移和不穩(wěn)定二個(gè)主要問題。

本實(shí)用新型的目的是提供一種飄移和不穩(wěn)定得到較大改善的光電電位器圓盤。

光電電位器圓盤是這樣的，在圓形陶瓷基片上由外向內(nèi)依次排列著電阻載流道，光電載流道和集電環(huán)。電阻載流道和集電環(huán)之間的間隙很小。電阻載流道是采用蒸發(fā)沉積的方法將鐵鎳合金、鎳或鉻附在基體上，它實(shí)際上是一條金屬薄膜電阻帶。光敏載流道采用CdS或CdSe光敏電阻材料沉積在基體上。集電環(huán)通常采用Ag沉積在基體上，為一個(gè)高傳導(dǎo)的金屬層。電阻載流道的二端各有一個(gè)接線端子，集電環(huán)上也有一個(gè)接線端子。當(dāng)電阻載流道的二個(gè)接線端子加上電位時(shí)有一狹光束照射在電阻載流道和集電環(huán)之間的狹縫內(nèi)的光導(dǎo)載流道上。由于CdS或CdSe光區(qū)與暗區(qū)的導(dǎo)電性能之比達(dá)10⁶～10⁸，光束照射區(qū)的電阻很小，于是光束把集電環(huán)和電阻載流道與光束相對(duì)應(yīng)的部位接通，集電環(huán)端子上的電位即為電阻載流道被接通部位的電位，光束在光導(dǎo)載流道上移動(dòng)，集電環(huán)上的電位隨之改變。用這種圓盤制成的光電電位器因鎳、鉻制成，其電阻與Cds或CdSe之間的接點(diǎn)是一個(gè)非歐姆接點(diǎn)，接點(diǎn)電阻隨電流強(qiáng)度和頻率而改變，造成飄移和不穩(wěn)定性。本實(shí)用新型的特征在于用C_r－SiO制成電阻載流道，用C_r－A_u合金制成集電環(huán)。

使用本實(shí)用新型生產(chǎn)的光電電位器，與現(xiàn)有的同類產(chǎn)品相比，具有分辨率高，飄移小和較好的穩(wěn)定性。它改變了我國生產(chǎn)光電電位器的落后面貌，而且為我國的光電電位器擠身于國際市場(chǎng)創(chuàng)造了條件。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

集電環(huán)1，光導(dǎo)載流道2，電阻載流道3，基片4，電阻載流道接線端子5、7，集電環(huán)接線端子6。

本實(shí)用新型的實(shí)施如圖所示，首先在基片4上沉積一層圓弧狀的CdS或CdSe作光導(dǎo)載流道2，然后在光導(dǎo)載流道上外側(cè)蒸發(fā)一條C_r－SiO薄膜作為電阻載流道3，其兩端各有一個(gè)電阻載流道接線端子5、7，最后在光導(dǎo)載流道上內(nèi)側(cè)沉積一條高傳導(dǎo)的C_r－A_u合金的金屬層，即為集電環(huán)1，上面有一個(gè)集電環(huán)接線端子6，電阻載流道與集電環(huán)之間僅留下一條很窄的圓弧狀間隙。