[其他]多位復(fù)合驅(qū)動(dòng)器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87209111 | 申請(qǐng)日: | 1987-06-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87209111U | 公開(公告)日: | 1988-10-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 詹娟;張會(huì)珍;蔡士俊;謝世健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京工學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L27/04 | 分類號(hào): | H01L27/04 |
| 代理公司: | 南京工學(xué)院專利事務(wù)所 | 代理人: | 樓高潮,陸志斌 |
| 地址: | 江蘇省南京*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 復(fù)合 驅(qū)動(dòng)器 | ||
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體集成電路,是一種驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器。
目前采用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,一般都采用分立的晶體管組成,在打字機(jī)電路中,字車電機(jī)和換行電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器就要由一系列的晶體管組成,這樣不僅使打字機(jī)控制電路的體積大,功耗大,而且不利于實(shí)現(xiàn)集成化。
本實(shí)用新型的目的在于研制一種體積小,功耗低,便于實(shí)現(xiàn)打字機(jī)控制電路集成化的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
由于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器要輸出較大的電流,而且具有較高的輸入阻抗,以便能夠驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)和熱敏頭,同時(shí)能與其他控制集成電路直接接口。本實(shí)用新型采用MOS管和雙極晶體管組合構(gòu)成單元器件,即用一個(gè)MOS管作為輸入端,一個(gè)雙極晶體管作為輸出端,MOS管的漏極直接和雙極晶體管基極聯(lián)接構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器的單元器件,再根據(jù)電機(jī)的數(shù)目將n個(gè)單元器件制作在同一集成電路芯片上。驅(qū)動(dòng)器的單元器件一般為4~16個(gè),由8個(gè)單元器件組成的八位驅(qū)動(dòng)器,可同時(shí)驅(qū)動(dòng)打字機(jī)的字車電機(jī)和換行電機(jī),由12個(gè)單元器件組成的驅(qū)動(dòng)器,可直接驅(qū)動(dòng)12個(gè)熱敏頭。若要控制輸出電壓不大于5伏,可以在驅(qū)動(dòng)器的每個(gè)單元器件中制作一個(gè)箝位二極管,箝位二極管的P區(qū)和N區(qū)可以與PNP雙極晶體管的發(fā)射區(qū)和基區(qū)同時(shí)形成,P區(qū)和雙極晶體管發(fā)射極E相連,而N區(qū)則接+5伏電源。
本實(shí)用新型具有體積小、功耗低等優(yōu)點(diǎn),它可以直接與其他控制集成電路接口,有利于實(shí)現(xiàn)整個(gè)控制電路集成化,適用于打字機(jī)、打印機(jī)中驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)或熱敏頭。
圖1是驅(qū)動(dòng)器的電路原理示意圖。
圖2是驅(qū)動(dòng)器的單元器件結(jié)構(gòu)剖面圖。
本實(shí)用新型可采取以下方式實(shí)施:一個(gè)由8個(gè)單元器件組成的打字機(jī)字車電機(jī)和換行電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,工作電壓為5伏,每個(gè)單元器件的輸出電流為100~300毫安。電路原理如圖1所示,其中n=8,每個(gè)單元器件的結(jié)構(gòu)剖面如同圖2所示。采用P-Si作為襯底,NMOS管作為驅(qū)動(dòng)器的輸入端。PNP雙極晶體管作為輸出端,MOS管的漏區(qū)和雙極晶體管的基區(qū)可以做成同一個(gè)擴(kuò)散區(qū),也可以做成兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)再用鋁線直接相連。為了抑制可控硅效應(yīng)。可以在雙極晶體管基區(qū)擴(kuò)散的同時(shí),在MOS管漏區(qū)和雙極晶體管基區(qū)之間形成一個(gè)N區(qū),該區(qū)與雙極晶體管發(fā)射極E相連。箝位二極管的N區(qū)在基區(qū)擴(kuò)散時(shí)形成,它接+5伏電源;而P區(qū)與發(fā)射區(qū)同時(shí)形成,并且兩區(qū)直接用鋁線相連。為了使驅(qū)動(dòng)器有足夠大的輸出電流,NMOS管的溝道寬長(zhǎng)比可以為(100~300),溝道長(zhǎng)度取(8~12)微米為宜;雙極晶體管的共發(fā)射極連接直流電流放大系數(shù)控制在(20~100)。采用常規(guī)鋁柵NMOS工藝和PNP雙極晶體管制造工藝即可制成所需的驅(qū)動(dòng)器。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 驅(qū)動(dòng)器
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