[其他]徽型玻璃封裝溫度補償二極管無效
| 申請號: | 87201554 | 申請日: | 1987-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN87201554U | 公開(公告)日: | 1988-06-22 |
| 發明(設計)人: | 劉復康 | 申請(專利權)人: | 威海市無線電二廠 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;H01L23/08 |
| 代理公司: | 煙臺市專利事務所 | 代理人: | 郭守江 |
| 地址: | 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃封裝 溫度 補償 二極管 | ||
本實用新型屬半導體器件,更詳細的講是一種錄音機作穩速用的微型玻璃封裝溫度補償二極管。
錄音機電機若沒有穩速裝置,電機的轉速將隨環境溫度的變化而改變,這對錄音機來說是絕對不允許的,當錄音機電機采用二極管給以溫度補償時,而其轉速相對穩定。目前國外生產的這種二極管在工藝上采用合金法外,外殼采用半封密性的塑料封裝。在成批生產這種二極管的過程中勞動效率低、一致性難以保證,由于采用塑料外殼封裝易受環境變化的影響、熱敏性能差,由于以上原因限制了錄音機電機的使用壽命。
本實用新型的目的在于提供一種能夠克服上述缺點,適合錄音機電機作穩速用的二極管。
本實用新型是這樣實現的,在管芯的金屬電極上生長氮化硅或磷硅玻璃鈍化層,并進行選擇電鍍銀或金,以達到二極管的穩定、可靠性,使芯片便于分割成單個芯片。
本實用新型為了滿足穩定電壓和良好的熱穩定性能,根據外殼的尺寸,采用420×420平方微米至460×460平方微米范圍之內的P-H結面積和410×410平方微米至450×450平方微米范圍內的引線孔面積。
本實用新型將兩個管芯串聯的裝入玻璃殼內,再在玻璃殼兩端裝入引線,然后進行燒結形成微型玻璃封裝溫度補償二極管。
本實用新型發明人已小批量生產,并在實踐中應用,實踐證明采用本生產過程適合二極管的大批量生產,生產效率高,產品一致性好。錄音機電機應用本實用新型后,由于采用玻璃殼封裝,受環境影響小、熱敏性能好,能較穩定的保證錄音機電機轉速的相對穩定。由于本實用新型的穩定性、可靠性高,也提高了錄音機電機的使用壽命。
本實用新型具有性能好、工藝先進、結構緊湊、成本低的特點,并可以節約大量的外匯。
附圖說明:
圖1本實用新型的單個管芯結構示意圖。
其????????中:
1——硅片襯底
2——硅外延層
3——二氧化硅
4——P-N結面積
5——引線孔面積
6——蒸鈦
7——蒸金
8——氮化硅或磷硅玻璃層
9——電鍍窗口
10——電鍍銀
11——蒸鎳
12——蒸銀
13——電鍍銀
圖2本實用新型的結構示意圖。
其????????中:
14——玻璃殼
15——兩個串聯管芯
16——引線
17——色環
圖1所示,將電阻率ρ≤10-3歐姆一厘米的襯底(1)和厚度為T=6-8微米、電阻率為ρ=0.1歐姆一厘米的外延層(2)H型硅片清洗處理;進行一次氧化和一次光刻形成的硅片的二氧化硅(3)保護膜;進行硼擴散形成了420×420平方微米至460×460平方微米范圍內的P-H結面積(4),達到硼擴散濃度要求、并生長一定厚度的氧化層;進行二次光刻形成410×410平方微米至450×450平方微米范圍內的引線孔面積(5);然后在專用真空蒸發臺內分別對硅片正面進行蒸鈦(6)和蒸金(7),達到沉積的目的;進行第三次光刻,在金屬電極上生長氮化硅或磷硅玻璃層(8);通過四次光刻,刻出電鍍窗口(9);進行正面電鍍銀,形成金屬電極凸起(10);通過專用減薄機對硅片背面進行減薄,然后分別進行蒸鎳(11)、蒸銀(12)和電鍍銀(13),然后將硅大圓片在專用劃片機上劃片分割成單個管芯。
圖2所示,在專用模具上裝好玻璃殼(14),兩個清洗后的管芯(15)串聯放入玻璃殼(14)內,再在玻璃殼兩端各裝入一根引線(16),在一定溫度下燒結后,玻璃殼(14)、管芯(15)、引線(16)達到全密封性封裝,最后打上色環(17),形成微型玻璃封裝溫度補償二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





