[其他]電感負載零觸發可控硅單相調功器無效
| 申請號： | 87201177 | 申請日： | 1987-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN87201177U | 公開（公告）日： | 1988-05-18 |
| 發明（設計）人： | 徐英忠 | 申請（專利權）人： | 機械委上海電器科學研究所 |
| 主分類號： | H02M5/257 | 分類號： | H02M5/257 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 白璧華 |
| 地址： | 上海市武寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電感 負載 觸發 可控硅 單相 調功器 | ||
【權利要求書】：
1、一種零觸發單相交流調功器，包括雙向可控硅和集成電路觸發控制器，其特征在于采用了集成化電流過零觸發控制電路，它由降壓啟動電路、時間切換電路、零電流觸發電路、零電流觸發脈沖成雙控制電路及過電流保護電路部份組成。
2、根據權利要求1所述的調功器，其特征在于降壓啟動電路由移相觸發控制器〔1〕、或門電路〔2〕、功率放大器〔3〕和可控硅〔4〕組成。
3、根據權利要求1所述的調功器，其特征在于時間切換電路由啟動脈沖發生器〔5〕、可調延時器〔6〕、RS觸發器〔7〕組成。
4、根據權利要求1所述的調功器，其特征在于脈沖成雙控制電路由延時器〔9〕、延時器〔10〕、RS觸發器〔11〕、〔12〕組成。
5、根據權利要求2所述的調功器，其特征在于移相觸發控制器〔1〕中采用GY03集成電路，RE阻值為10KΩ，R1阻值為7.5KΩ。
6、根據權利要求4所述的調功器，其特征在于延時器〔9〕、〔10〕由積分電路構成，其R1、R2分別為10～15KΩ、7.5～10KΩ，C1，C2分別為1.5μf、5.5μf。
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