[其他]管芯測量觀察裝置無效
| 申請號: | 87201004 | 申請日: | 1987-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN87201004U | 公開(公告)日: | 1988-05-18 |
| 發明(設計)人: | 陳瑞璋 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人: | 季良赳,沈德新 |
| 地址: | 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 管芯 測量 觀察 裝置 | ||
本實用新型是半導體激光器(LD)或發光二極管(LED)管芯的測量觀察裝置,屬于半導體光輻射器件制造或處理時的測量設備。
近年來,隨著光纖通訊技術,光電傳感技術,自動控制技術,光盤存貯技術等領域的發展,半導體激光與發光二極管的研究與制造也有了迅速的進展。為得到高質量的LD與LED器件,提高LD與LED制造的成品率,在研究制造過程中,要對管芯質量進行必要的參數測量,例如測量電流-電壓(I-V)特性、電流-光功率(I-P)特性,閾值電流(Ith)等電學性能,對解理腔面進行觀察等,以研究影響管芯質量的各種因素,找出改進管芯質量,提高管芯成品率的工藝方案,縮短研制周期,并剔除不合格的管芯,減輕裝架熱壓等后工藝的壓力,節省人力和原材料,同時可進一步研究后工藝對器件性能的影響。因此,對管芯的測量與觀察是器件工藝中的重要環節。國內基本上是在探針臺上用JT-1晶體管特性圖示儀進行管芯測量,這種方法只能測量I-V特性,不能測量I-P特性,也不能觀察解理腔面,而且探針會損傷管芯。國外用管芯測試工作臺來完成管芯的特性測量與分析,但也沒有見到既能綜合測量電學特性、電光特性、又能觀察解理腔面的測量觀察臺。另外,為減少管芯的人為損傷,常采用真空吸片裝置吸住管芯,但由于吸片針與管芯的粘附,當真空氣路阻斷時,常常不能使小的管芯脫開吸片針,而在測量時,往往仍用探針作為電極,因而仍會引起管芯損傷。
本實用新型的管芯測量觀察裝置是為LD與LED的研制而設計的,它既能方便地觀察管芯的二個解理腔面,又能與測量記錄儀表配合,測量其電學、電光特性并進行記錄。本實用新型直接將吸片針作為上電極,完全不用探針,同時,采用專門設計的通氣泵閥,可使真空氣路斷開的同時產生一正壓氣流,使管芯與吸片針自然脫開,避免了管芯的機械損傷。
本實用新型由抽氣泵,通氣泵閥、管芯測試觀察臺及觀察顯微鏡構成。抽氣泵提供負壓吸片。通氣泵閥包括閥栓、閥體、彈簧、閥座和進出導氣管,閥體上設有放氣孔。在使用時,無外力作用時,該泵閥處于與真空氣路常通狀態。常通氣路可使管芯吸附在吸片針上。當測量觀察結束時,按下閥栓,阻斷與抽氣泵相通的真空常通氣路,迅速接通放氣孔,產生一正壓,把管芯從吸片針上自動吹落。管芯測量觀察臺主要由機械調節機構,吸片針和氣路、光電探測器及探測器座,絕緣墊片和線路板,底座等構成。機械調節機構可使吸片針連同管芯繞軸作360°旋轉和上下位移,也可使吸片針和管芯自身在平面內作360°旋轉以觀察器件的二個解理腔面。吸片針自身作為LD,或LED的上電極,通過轉臂、旋轉軸接至線路板,并通過絕緣底座絕緣。探測器座或底座的上部置有下電極,上下電極間連接電源(直流,脈沖鋸齒波等信號源),以提供LD或LED測試電流。對于面發光型二極管(SLED),光電探測器可置于吸片針的下方(下電極的下方),對邊發光二極管????????(ELED)或激光器,則將光電探測器置于以吸片針為軸的柱面位置上,對準LD或LED光束。則可檢測LD或LED的輸出光功率,光波形觀察顯微鏡用于解理腔面的觀察,通過直角棱鏡及吸片針的轉動,可方便地觀察各個方向上解理面的情況。
使用本實用新型,可方便地觀察解理腔面和測量LD或LED的電學特性和電光特性。配以顯微攝影裝置和記錄儀表,可以把解理腔面和電學特性、電光特性記錄下來??纱蟠蟮販p少管芯的機械損傷。可對管芯質量進行有效的檢查,剔除不合格管芯,減輕后工藝的壓力,提高工作效率,節省了后工藝的人力、物力。也便于對管芯進行自動化分揀。
圖1是本實用新型的示意圖。圖中〔1〕是抽氣泵,〔2〕是通氣泵閥,〔3〕是管芯測量觀察臺,〔4〕是觀察顯微鏡,〔5〕是直角棱鏡,〔6〕是抽氣(通氣)管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





