[其他]莫來石陶瓷多層基片及其生產方法

無效

• 申請號: 87108030
• 申請日: 1987-11-25
• 公開（公告）號: CN87108030A
• 公開（公告）日: 1988-06-29
• 發明（設計）人: 石原昌作;藤田毅;黑木喬;槌田誠一;戶田堯三
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K3/22
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 何耀煌,肖掬昌

1、一種莫來石陶瓷多層基片，其特征在于包括：

-由莫來石作為主要成份而構成的多層基片，

-在該基片上所形成的各布線導體，和

-在所述各布線導體上所形成的、由鎳和硼組成的鍍膜層。

2、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中在所述鍍膜層上進一步形成金鍍膜層。

3、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中鍍膜層是用化學鍍方法形成的。

4、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：在該基片的兩個表面上形成各布線導體，并且在各布線導體上均形成鍍膜層。

5、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中鍍膜層由按重量計的98%至99.99%的鎳和按重量計的2.0%至0.01%的硼組成。

6、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中鍍膜層具有不大于8微米的厚度。

7、根據權項5的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中鍍膜層具有不大于8微米的厚度。

8、根據權項1的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中在不高于1000℃的溫度下對所述基片進行熱處理，從而導致布線導體對鍍膜層的充分的粘合力。

9、根據權項7的莫來石陶瓷多層基片，其特征在于：其中在不高于1000℃的溫度下對所述基片進行熱處理，從而導致布線導體對鍍膜層的充分的粘合力。

10、一種用于生產莫來石陶瓷多層基片的方法，其特征在于包括：

-制備由莫來石作為主要成份而組成的多層基片，

-在該基片上形成各布線導體，

-在所述各布線導體上形成由鎳和硼組成的鍍膜層。

11、根據權項10的方法，其特征在于：在所述鍍層上進一步形成金鍍膜層。

12、根據權項10的方法，其特征在于：所述鍍膜層是用化學鍍方法形成的。

13、根據權項10的方法，其特征在于：其中所述鍍膜層由按重量計的98.0%至99.99%的鎳和按照重量計的2.0%至0.01%的硼組成。

14、根據權項10的方法，其特征在于：所述鍍膜層具有不大于8.0微米的厚度。

15、根據權項13的方法，其特征在于：所述鍍膜層具有不大于8.0微米的厚度。

16、根據權項10的方法，其特征在于：在不高于1000℃的溫度下對所述基片進行熱處理，從而導致所述各布線導體對所述鍍膜層的充分的粘合力。

17、根據權項15的方法，其特征在于：在不高于1000℃的溫度下對所述基片進行熱處理，從而導致所述各布線導體對所述鍍膜層的充分的粘合力。

18、根據權項10的方法，其特征在于：所述多層基片是從作為燒結劑的、由按重量計的50%至95%的莫來石粉以及按重量計的50%至5%的細的堇青石和二氧化硅粉組成的陶瓷粉而制成的。

19、根據權項10的方法，其特征在于：所述多層基片是通過把在各相應表面上具有某一布線圖案的各生坯片彼此迭在一起，對這些生坯片在加熱條件下施加某壓力，從而形成疊層結構，然后燒制所述疊層結構而制成的。

20、根據權項10的方法，其特征在于：各生坯片各自備有一些通孔以及填入這些通孔中的軟膏。