[其他]成型單晶體生長設備

無效

• 申請號: 87108007
• 申請日: 1987-11-26
• 公開（公告）號: CN87108007A
• 公開（公告）日: 1988-06-08
• 發明（設計）人: 德米特里·亞科萊維奇·克拉維斯基;萊夫·馬科維奇·薩圖洛斯基;萊奧尼德·彼特羅維奇·埃格羅夫;伯里斯·本特斯諾維奇·彼茨;萊奧尼德·薩穆洛維奇·庫奧恩;埃弗姆·阿萊克桑德羅維奇·弗里曼;維克托·瓦希利維奇·阿維亞諾夫;阿萊克桑德·沃維奇·阿利少夫
• 申請（專利權）人: 全蘇電熱工設備科研設計結構和工藝所
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 薛明祖

1、一種難熔光學透明金屬化合物成型單晶體生長設備，它有一個密封室(1)，室內有一個帶杯形加熱器(3)的絕熱裝置(2)，加熱器內有一坩鍋(5)，坩鍋可沿杯形加熱器軸線往復移動。圓柱形成形器(6)有毛細管型通孔，用以將熔融物(11)自坩鍋(5)輸送至單晶體(7)的結晶區(14)。結晶區位于成形器(6)上端(13)上方，成形器上端形狀與生長的單晶體(7)的橫截面相同，位置在加熱器(3)上緣(4)下面。還有平板式隔熱板(23)，水平裝設，上面有同軸孔(25)，用以通過生長的單晶體(7)。這種設備的特征為：它有一個附加的空心圓筒形隔熱板(24)，裝在平板式隔熱板(23)的孔(25)內，與孔同心。

2、按權利要求1所述之成型單晶體生長設備，其特征為：空心圓筒高度為成形器（6）上端（13）與加熱器（3）上緣（4）之間距離的1至1.6倍，其厚度為0.1至0.15倍，其外徑為成形器（6）上端（13）外圓直徑的1.5至2.0倍。