[其他]產生交流電壓的電路結構

無效

• 申請號: 87106586
• 申請日: 1987-09-26
• 公開（公告）號: CN87106586A
• 公開（公告）日: 1988-04-13
• 發明（設計）人: 齊亞丁·查哈巴迪;馬丁·布拉姆斯;奧拉夫·維特
• 申請（專利權）人: 電纜金屬電氣有限公司
• 主分類號: H02M7/48
• 分類號: H02M7/48
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 黃向陽,吳秉芬

1、位于電子裝置中產生交流電壓的電路結構，該電子裝置通過遠距離饋電線連接在一個直流電壓上，該電路結構的特征在于：

-在該裝置(1)中設置了一個供電部件(2)，由它產生該裝置(1)的電子電路(3)的工作電壓，并至少還能給一個外部負載(7)供電；

-在該裝置(1)中此外還設有一個時鐘脈沖發生器(8)，它給出的脈沖經過一個控制元件(9)送到一個晶體管(T1)的控制極上，該晶體管主電路中有一個變壓器(10)的原邊繞組；

-在變壓器(10)的次邊繞組側電流分成兩個不同的路徑，每個路徑上均有一個二極管(D1，D2)及連接在其后的電容器(C1，C2)與次邊繞組相連接；

-與耦合電容器(CK)相串聯的負載(RL)與第一個電容器(C1)并聯，并且與放電晶體管(T2)的主電路連接，第二個電容器(C2)連接于其控制極上，并在其上還并聯了一個歐姆電阻(R2)；

-在第一個電容器(C1)上還并聯了一個將該電容器(C1)上的電壓瞬時值作為實際值的分壓器(R3，R4)，其分壓點(p)連接到比較器(11)的第一輸入端上，而該比較器的第二個輸入端接入做為給定值的一個交流電壓；及

-比較器(11)的輸出端與一個控制元件(9)相連接。

2、根據權利要求1的電路結構，其特征在于：經過放電晶體管（T2）的放電電流返回到裝置（1）的供電源上。

3、根據權利要求1或2的電路結構，其特征在于：晶體管（T1）是場效應晶體管，最好是MOSFET。

4、根據權利要求1或2的電路結構，其特征在于：晶體管（T1）是雙極晶體管。

5、根據權利要求1至4中任一權利要求的電路結構，其特征在于：放電用晶體管（T2）是場效應晶體管，最好是MOSFET。

6、根據權利要求1至4中任一權利要求的電路結構，其特征在于：放電用晶體管（T2）是達靈頓開關管。

7、根據權利要求1至6中任一權利要求的電路結構，其特征在于：電源部件（2）采用開關式電源部件。