[其他]壓接觸GTO-可控硅整流器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 87105600
• 申請(qǐng)日: 1987-07-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN1003203B
• 公開(kāi)（公告）日: 1989-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安德烈·杰克林;蒂博爾·帕科西;沃爾夫?qū)R默曼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: BBC勃朗·勃威力有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/74
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/74;H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬

1、壓接觸GTO-可控硅整流器，包括

a）一個(gè)安裝在陰極面同陽(yáng)極面之間，具有各種不同摻雜層的半導(dǎo)體片（2），

b）所述半導(dǎo)體片（2）至少在陰極面處做成臺(tái)面形，并具有由多個(gè)凸起的陰極凸臺(tái)（7）的柵極-陰極結(jié)構(gòu)，這些陰極凸臺(tái)被深處的柵極區(qū)包圍，以及

c）半導(dǎo)體片（2）在其陰極凸臺(tái)（7）上總是復(fù)蓋著一層金屬化陰極層（6），陽(yáng)極面處總是復(fù)蓋著一層金屬化陽(yáng)極層;并帶有

d）一個(gè)陰極面的片形壓接件和一個(gè)陽(yáng)極面的片形壓接件（1、3），這些片形壓接件被壓在陰極層及陽(yáng)極層上，以實(shí)現(xiàn)接觸連接，其特征在于

e）壓接件（1，3）與半導(dǎo)體片（2）的壓力荷載接觸面上的平面偏差小于±5微米，和

f）壓接件（1，3）相互對(duì)準(zhǔn)，以使它們中心軸之間的相互偏差小于500微米。

2、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，陽(yáng)極面是平的，并且至少要使陽(yáng)極面的壓接件（3）在面向半導(dǎo)體（2）的那面上在其邊緣處被削平或銼園。

3、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）用鉬或鎢制成。

4、按照權(quán)利要求3的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）與半導(dǎo)體片（2）的平面偏差小于±1微米。

5、按照權(quán)利要求4的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）中心軸之間的相互偏差小于100微米。

6、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于，壓接件（1，3）的直徑大于20毫米。

7、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于

a）陰極凸臺(tái)（7）的寬度大于0.1毫米，

b）陰極凸臺(tái)（7）的長(zhǎng)度大于1毫米，

c）陰極凸臺(tái)（7）之間溝深度在5至50微米之間，和

d）陰極凸臺(tái)（7）的數(shù)量大于100。

8、按照權(quán)利要求1的壓接觸GTO-可控硅整流器，其特征在于陰極面壓接件（1）的直徑要如此之大，至使壓接件的邊界超出陰極凸臺(tái)（7）。