[其他]具有反型復制表面的陶瓷復合體制品的生產方法及其所得制品無效
| 申請號: | 87105222 | 申請日: | 1987-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN87105222A | 公開(公告)日: | 1988-06-08 |
| 發明(設計)人: | 馬克·S·紐克爾克 | 申請(專利權)人: | 蘭克西敦技術公司 |
| 主分類號: | C04B37/00 | 分類號: | C04B37/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 段承恩,徐汝巽 |
| 地址: | 美國特*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 復制 表面 陶瓷 復合體 制品 生產 方法 及其 所得 | ||
1、一種生產自承陶瓷復合體的方法,該復合體具有反型復制母金屬陽模的陰模,上述的復合體包括(1)-陶瓷基體,由母金屬氧化形成一種多晶材料得到的,多晶體材料基本由于(i)上述的母金屬與氧化劑的氧化反應產物和,任意地(ii)一種或多種金屬組分組成;以及(2)被上述基體埋置的填充物,本方法包括以下步驟:
(a)提供具有(1)一個供反型復制用的陽模部分和(2)一個非復制部分的母體金屬前體。
(b)至少把上述母體金屬前體的所述陽模部分放置在與合適的填充物床中使兩者相配合,在控制生長的條件下促進從上述的陽模部分生長上述的氧化反應產物,并防止在上述的非復制部分發生這類生長,上述合適的填充物(i)至少當在步驟(c)中需要上述的氧化劑與熔融母體金屬接觸時,對上述的氧化劑是可滲透的,和(ii)對氧化反應產物經過上述的填充物生長是可以滲透的。
(c)把母金屬前體加熱到高于其熔點而低于上述的氧化反應產物熔點的溫度范圍,以形成熔融的母金屬體,并且在上述的溫度下,
(1)使熔化母金屬與上述的氧化劑反應生成上述的氧化反應產物
(2)至少保留一部分上述的氧化反應產物與上述的熔融金屬體和上述的氧化物相接觸并處于它們之間,以進一步使熔化的金屬經過氧化反應產物從上述的熔融金屬體中排出并在上述的填充物床內與所述氧化劑接觸;同時隨著氧化反應產物從上述的氧化劑和先形成的氧化反應產物之間的界面上不斷形成,在上述的填充物床中形成上述的陰模,以及
(3)上述的反應持續一段時間,將上述的填充物床至少部分地埋置上述的氧化反應產物中,由于氧化反應產物的生長形成具有上述的陰模的上述的復合體;以及
(d)將得到的自承陶瓷復合體從剩余的填充物和未反應的母金屬,如果有的話,中分離出來。
2、如權利要求1所述的方法,包括放置上述母金屬前體與上述合適填充物相配合,以使所述母金屬前體的所述非復型部分不與所述的填充物床相接觸。
3、如權利要求2所述的方法,該方法包括所提供覆蓋至少一部分所述母金屬的所述非復型部分的方法,以防止所述氧化反應產物從所述非復制部分生長。
4、如權利要求3所述的方法,其中所述氧化劑包括一種氣相氧化劑所述的防止生長裝置是,或者在步驟(c)的反應條件下變成對所述氣相氧化劑是可滲透的。
5、如權利要求4所述的方法,其中所述氧化劑包括一氣相氧化劑,和所述用來防止生長的裝置包括一熟石膏層。
6、如權利要求1所述的方法,其中所述的生長控制條件包含向所述陽模部分上施加摻雜劑。
7、如權利要求6所述的方法,包括放置所述母金屬前體與所述的合適填充物床的配合,以使所述的母金屬前體的所述非復制部分不與所述的填充物床相接觸。
8、如權利要求1所述的方法,其中所述的合適填充物是自粘合的,至少當需要抵抗由于所述氧化反應產物的生長而形成的經過所述氧化反應產物形成的壓力差的時候。
9、如權利要求1所述的方法,其中所述生長控制條件至少一部分是通過將一種固體氧化劑和一種液體氧化劑中的一種或兩種放入所述的合適填充物床中某一接近陽模部分來提供的。
10、如上述權利要求中任一項所述的方法,其中所述的氧化劑包括一種氣相氧化劑。
11、如權利要求10所述的方法,其中所述的氧化劑包括一種含氮氣體或一種含氧氣體。
12、如所述權利要求中任一項所述的方法,其中所述母金屬是選自由鋁、硅、鈦、錫、鋯和鉿組成的一組的母體金屬中。
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