[其他]集成電路絕緣工藝方法

無效

• 申請號: 87104640
• 申請日: 1987-07-03
• 公開（公告）號: CN87104640A
• 公開（公告）日: 1988-01-27
• 發明（設計）人: 理查德·A·恰普曼;克萊倫斯·鄧萬生
• 申請（專利權）人: 得克薩斯儀器公司
• 主分類號: H01L21/94
• 分類號: H01L21/94;H01L21/314;H01L21/471
• 代理公司: 上海專利事務所
• 代理人: 馮曉明

1、在由窄的和寬的凹槽分隔的半導體基片中絕緣區域的方法，它包括：

僅只在寬的凹槽中生長第一場氧化物；

在基體上沉積一第二場氧化物區，將窄凹槽和寬凹槽的任何剩下的未填滿部分填上。

2、根據權利要求1所述的方法，其中，所述基體由一氧化物墊層和一氮化物層所覆蓋，然后，在所述第一場氧化物長出以前蝕刻所述基片，以便給寬凹槽的底部提供縫隙。

3、根據權利要求1所述的方法，其中，所述基片被一氧化物墊層，一多晶硅層和一氮化硅層所覆蓋，進一步包括：

在所述第一場氧化物生長出來以前，蝕刻所述層，以便在寬凹槽內給基片提供縫隙。

4、根據權利要求2所述的方法，其中，所述蝕刻是各向異性的。

5、根據權利要求3所述的方法，其中，所述蝕刻是各向異性的。

6、在硅基片中制備集成電路的絕緣區域的方法，它包括，

將所述基片的預定部分用第一場氧化物層覆蓋起來;

用第一氮化硅層將所述第一氧化物層覆蓋;

從所述第一氧化物和第一氮化物層至所述基片蝕刻寬和窄凹槽，以形成與所述凹槽相鄰的壕狀區;

在所述基片上沉積上一層第二氮化物層;

蝕刻所述寬凹槽以便在所述寬凹槽底部的貫穿所述第二氮化物層，開設一條縫隙;

在所述寬凹槽內的由所述縫隙所暴露的區域上生長第一場氧化物;

沉積第二場氧化物層，將所述窄凹槽和所述寬凹槽的剩余部分填上;

將所述第二場氧化物層平整至大約達到與所述凹槽的頂部邊緣相平的高度，從而在所述壕狀區間形成絕緣區。

7、根據權利要求6所述的方法，進一步包括：

在所述第一氧化物層和所述第一氮化硅層之間形成一多晶硅層。

8、根據權利要求6所述的方法，進一步包括：

在沉積上所述第二氮化物層之前，生長第二氧化物層以覆蓋所述凹槽的側壁。

9、根據權利要求6所述的方法，進一步包括：在所述第二氮化硅層上沉積上第二氧化物層，以便將所述窄凹槽填上，并至少部分地將所述寬凹槽填上。

10、根據權利要求9所述的方法，其中，在所述寬凹槽內的所述第一場氧化物長出之前，將所述第二氧化物層的殘余量除去。

11、根據權利要求6所述的方法，進一步包括：在沉積上所述第二場氧化物層之前，將所述第一和第二氮化硅層除去。

12、根據權利要求6所述的方法，其中，所述凹槽將被蝕刻至約5000埃深。

13、根據權利要求6所述的方法，其中，所述第二場氧化物層的厚度約為10000埃。

14、根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一場氧化物層的厚度約為10000埃。

15、在單晶硅基片中制備集成電路絕緣區的方法，它包括：

用一氧化物墊層將所述基片的一預定部分覆蓋;

在所述氧化物墊層上形成一第一氮化硅層;

從所述氧化物墊和第一氮化物層至所述基片對寬的和窄的凹槽進行蝕刻以形成與所述凹槽相鄰的壕狀區;

生長第一側壁氧化物層，將所述凹槽的側壁覆蓋;

沉積上一第二氮化硅層，將所述第一側壁氧化物層覆蓋;

在所述第一和第二氮化物層上沉積第二側壁氧化物層以便將所述窄凹槽填上;

蝕刻所述寬凹槽，以便在所述寬凹槽的底部，通過所述第二氮化硅層開出一條縫隙來;

在被所述縫隙暴露的區域內生長一第一場氧化物;

將所述第一和第二氮化硅層除去;

沉積上一第二場氧化物層以便將所述窄凹槽填上;

將所述第二場氧化物平整至大約和所述凹槽的頂部邊緣相平的高度從而在所述壕狀區之間形成絕緣區。

16、根據權利要求15所述的方法，進一步包括：

在所述平整步驟以后將所述氧化物墊層除去;

在所述硅基片的被暴露部分上生長一氧化物柵極層;

將材料沉積在將用作晶體管柵極的所述柵極氧化物層上。

17、根據權利要求15所述的方法，其中，在所述第一場氧化物生長之前，將所述第二側壁氧化物層的殘存物除去。