[其他]磁膜以及使用這種磁膜的磁頭無效
| 申請號: | 87103907 | 申請日: | 1987-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN1006107B | 公開(公告)日: | 1989-12-13 |
| 發明(設計)人: | 小林;俊雄;大友茂一;中谷亮一;熊坂登行 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | 分類號: | ||
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 李勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 以及 使用 這種 磁頭 | ||
一種磁膜和使用這種磁膜(5,9)的磁頭。這種磁膜是通過將一種或多種元素填加到由鐵構成或以鐵為主要成分的磁膜中形成的,這些元素選自可填隙地溶于鐵的元素:硼、氮、碳和磷,元素的含量是5~20%原子比。
本發明涉及一種磁膜及應用同樣磁膜的磁頭,更具體地說,是涉及用于磁頭磁極的磁膜以及使用這種磁膜的磁頭,這種磁頭特別適合于高密度磁記錄場合。
作為用于高密度磁記錄的磁頭磁極的材料,已經研制出一種其主要成分為鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)并且其飽和磁通量密度不小于10千高斯(KG)的合金,及另一種具有飽和磁通量密度不小于18千高斯的鐵-硅(Fe-Si)合金(JP-A-59-182938)。如果需要高密度的磁記錄,則要求磁頭磁極的端部具有不大于0.5微米的厚度,這將需要磁極具有徒削分布的磁場。由于在端部上的磁通量密度變得很高,因此需要磁膜具有高飽和磁通量密度、高磁導率以及低矯頑磁力。此外,由于端部上膜的厚度變薄,因此會出現磁飽和。因此,當膜厚度不大于0.5微米時,則需要不小于15千高斯的高飽和磁通量密度、不小于1000的高相對磁導率及不大于1奧斯特(Oe)的低矯頑磁力。
一種磁膜已經通過射頻(RF)濺射方法或諸如此類的方法形成。以鐵作為其主要成分的磁膜的磁特性呈現高的飽和磁通量密度,其值不小于15千高斯。然而,其相對磁導率呈現不大于700的較低值。因此,構成同時具有高飽和磁通量及高相對磁導率的磁膜一直是困難的。
最近,具有高飽和磁通量密度及高相對磁導率的一種磁膜已經研制出來,它是一種多層磁膜,磁膜疊壓在各中間層之間(JP-A-59-9905)。多層磁膜的磁特性取決于位于主磁膜間的各中間層所用材料。通常,最好使用具有高磁導率的磁性材料。
按照現有技術,通過射頻濺射方法或諸如此類方法生成用于磁頭磁極的磁膜。這種磁膜具有相當高的飽和磁通量密度,但其相對磁導率是低的。因此,這種磁膜不能用作進行高密度磁記錄的磁頭的磁膜。
本發明的目的在于消除上述現有技術中存在的問題,并且提供一種具有高飽和磁通量密度及高相對磁導率的磁膜。
本發明的進一步目的在于提供一種適用于垂直或縱向磁記錄磁頭磁極上的磁膜,這種記錄磁頭對于具有高矯頑磁力、高密度磁記錄的媒介呈現優越的記錄和復制特性;同時提供具有這種磁膜的磁頭。
本發明的主要特征在于將一種可填隙地溶于鐵中的元素加入磁膜中,這種磁膜是以鐵為主要成分并具有高飽和磁通量密度。通過加入這種元素,僅部分晶體制成不定形狀態,使得磁晶各向異性能量下降,導致矯頑磁力下降、相對導磁率增加,因此獲得不小于15千高斯的飽和磁通量密度以及不小于1000的相對磁導率。
最好使用選自硼(B),氮(N),碳(C),磷(P)的一種或多種可填隙地溶于鐵中的元素作為加入本發明的磁膜中的元素。由這類磁膜疊壓于高導磁率的鎳-鐵合金層或非晶磁性合金層中而構成的一種多層磁膜使得相對導磁率明顯提高。
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