[其他]卷筒型固體電解電容器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87103667
• 申請日: 1987-05-20
• 公開（公告）號: CN87103667A
• 公開（公告）日: 1987-12-16
• 發(fā)明（設計）人: 內藤一美;荒川美明;池崎隆;矢部正二;橫山豐;浜口裕一;六本木康伸
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社;日本凱米空株式會社
• 主分類號: H01G9/00
• 分類號: H01G9/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 趙越

1、一種卷筒型固體電解電容器，它包括一個含有這樣的閥金屬正電極基片、并成卷筒型的電容器基芯，該基片在其表面上有一層介電氧化物層，在該介電氧化物層上生成了一層半導體層，并在該半導體層上生成了一層導電層。

2、如權利要求1所述的固體電解電容器，其中，該電容器基芯與一個隔片一起卷成卷筒型。

3、如權利要求1或2所述的固體電解電容器，其中，該介電氧化物層是一層作為正電極的閥金屬的氧化物層。

4、如權利要求1至3中的任一項所述的固體電解電容器，其中，該半導體層主要由二氧化鉛為組份。

5、如權利要求4所述的固體電解電容器，其中，主要由二氧化鉛為組份的半導體層是用電化學的方法從含有一種含鉛的化合物的反應母液中沉淀而形成的層。

6、如權利要求4所述的固體電解電容器，其中，主要由二氧化鉛為組份的半導體層是用化學方法從含有一種含鉛的化合物和一種氧化劑的反應母液中沉淀而形成的層。

7、如權利要求1至3中的任一項所述的固體電解電容器，其中，該半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛為組份。

8、如權利要求7所述的固體電解電容器，其中，在該半導體層中二氧化鉛的含量按重量比大于10%，但小于100%。

9、如權利要求7或8所述的固體電解電容器，其中，主要由二氧化鉛和硫酸鉛為組份的半導體層是用化學方法從含有鉛離子和過硫酸根離子的反應母液中沉淀而形成的層。

10、一種制備卷筒型固體電解電容器的工藝，其中包括將一個表面具有生成的介電氧化物層的片狀閥金屬正電極基片卷成卷筒式;在該介電氧化物層上生成半導體層;再在該半導體上生成導電層。

11、一種制備卷筒型固體電解電容器的工藝，其中包括在一個表面具有形成的介電氧化物層的片狀閥金屬正電極基片的上述介電氧化物層上形成一層半導體層;將形成的半導體層的基片卷成卷筒型;再在該半導體層上生成一層導電層。

12、一種制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中包括在一個表面上具有一層介電氧化物層的片狀閥金屬正電極基片的所述介電氧化物層上生成一層半導體層;在該半導體層上生成一層導電層，再將該正電極基片卷成卷筒型。

13、根據權利要求10至12中的任一項所述的制備卷筒型固體電解電容器的工藝，其中正電極基片和一個隔片一起卷成卷筒型。

14、根據權利要求10至13中的任一項所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中介電氧化物層是作為正電極的閥金屬的氧化物層。

15、根據權利要求10至14中的任一項所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中半導體層主要以二氧化鉛為組份。

16、根據權利要求15所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中主要由二氧化鉛為組份的半導體層是用電化學的方法從含有一種含鉛的化合物的反應母液中沉淀形成的。

17、根據權利要求16所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中，在反應母液中的這種含鉛化合物的濃度是從0.2摩爾/升到飽和溶解度時的濃度。

18、根據權利要求15所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中，主要由二氧化鉛為組份的半導體層是用化學方法從含有一種含鉛化合物和一種氧化劑的反應母液中沉淀形成的。

19、根據權利要求18所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中在反應母液中這種含鉛化合物的濃度是從0.05摩爾/升到飽和溶解度的濃度，而該氧化劑的含量為0.1～5摩爾/摩爾含鉛化合物。

20、根據權利要求10至14中的任一項所述的制備卷筒式固體電解電容器的工藝，其中，半導體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛為組份。

21、根據權利要求20所述的制備卷筒式固體電容器的工藝，其中，該半導體層中的二氧化鉛的含量按重量比大于10%，但小于100%。

22、根據權利要求20或21所述的制備卷筒式固體電容器的工藝，其中，主要由二氧化鉛和硫酸鉛為組份的半導體層是用化學方法從含有鉛離子和過硫酸根離子的反應母液中沉淀形成的。