[其他]磁記錄載體

無效

• 申請號: 87103212
• 申請日: 1987-03-27
• 公開（公告）號: CN87103212A
• 公開（公告）日: 1987-10-28
• 發明（設計）人: 城石芳博;菱山定夫;積田則和;鄉原吉雄;佐野城;鈴木博之;菅沼庸雄;林將章;白倉高明
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01F41/14
• 分類號: H01F41/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以平

本發明涉及用于磁盤等裝置的磁記錄載體，特別是具有高度可靠的耐蝕性和耐磨性的高記錄密度磁記錄載體。

在日本特許公開№54-33523公開的一種采用金屬磁性薄膜的磁記錄載體已被推薦用于高密度磁記錄。一般來說，磁記錄載體是用蒸鍍、濺射、噴鍍和離子束濺射等方法制造的。隨著最近對更高記錄密度和更高可靠性的需要的增長，已經提出的磁性金屬中添加第三元素如Cr、Nb等，以此提高耐蝕性。這披露于日本特許公開№57-15406和57-196508。然而，所有這些現有技術幾乎都涉及磁記錄帶，還不能滿足象電子計算機硬磁盤等對可靠性的嚴格要求。

本發明的目的是提供一種由Co-Ni基磁性金屬薄膜組成的磁記錄載體，其耐蝕性得到改善并具有顯著的金屬磁性薄膜磁特性。

這個目的和其它目的通過提供一種包括非磁性基底及形成于其上的磁性薄膜的磁記錄載體來達到。其特征在于磁性薄膜主要由Co，Ni及Zr和Hf中的至少一種組成，該磁性薄膜以Co-Ni總量為基礎的Zr或Hf或Zr和Hf的原子百分比為0.1～30%。

圖1是本發明一個實施例的磁盤剖面圖。

圖2和圖3分別是本發明磁盤和對比磁盤作1摩爾/升-NaCl噴霧和浸漬試驗的結果曲線圖。

圖4和圖5分別是本發明磁盤和對比磁盤的磁特性曲線圖。

圖6是本發明另一實施例的硬磁盤載體的剖面圖。

圖7是圖6所示硬磁盤載體的磁特性曲線圖。

圖8是本發明又一實施例的硬磁盤載體的剖面圖。

圖9是CoNiZr/Cr薄膜按厚度的組成分布圖。

圖10是本發明磁盤的平面（in-plane）矯頑力與磁性薄膜的Zr含量之間的關系曲線圖。

圖11是本發明磁盤S/N（信噪比）與磁性薄膜Ni含量之間的關系曲線圖。

圖12是本發明另一實施例按厚度的組成分布圖。

圖13和圖14分別是本發明磁盤和對比磁盤作1摩爾/升-NaCl噴霧和浸漬試驗的結果曲線圖。

圖15和圖16分別是本發明磁盤和對比磁盤的磁特性曲線圖。

圖17是本發明又一實施例的磁特性曲線圖。

對用分別含有元素周期表Ⅰb、Ⅲa、Ⅳa、Ⅴa和Ⅷ族中第4????5、6周期元素的各種Co-Ni合金靶制備的濺射磁性薄膜的磁特性和耐蝕性等進行了廣泛研究，結果發現在Co-Ni合金磁性薄膜中添加Zr和Hf中的至少一種，可以獲得很好的效果。

如果磁性薄膜含Zr，則以Co-Ni總量為基礎的Zr原子百分比應為0.1～30%。為了改善磁特性，以Co為基礎的Ni的理想含量是10～60%（原子百分比），更為理想的含量是20～50%（原子百分比），最為理想的含量是30～48%（原子百分比）。而且，以Co-Ni總量為基礎的Zr含量為2～20%（原子百分比）是較好的，較為理想的是2～15%（原子百分比），更為理想的是3～12%（原子百分比），甚為理想的是4～11%（原子百分比）。

如果磁性薄膜含Hf或Hf和Zr兩者，則以Co-Ni總量為基礎的Hf含量或Hf和Zr的總含量應為0.1～30%原子百分比。在含有Hf和Zr兩者的情形，從著眼于大量生產出發，以Zr為基礎的Hf含量是2～3%（重量百分比）較為理想的。而且，以Co-Ni總量為基礎的Hf含量或Hf和Zr總含量為0.1～15%（原子百分比）是較好的，最好是2～10%（原子百分比）。

按照本發明能夠提供一種讀-寫性能特別優異的磁記錄載體。這是通過在磁性薄膜與非磁性基底（或者當磁記錄載體使用金屬基底時，使基底表面氧化，厚度達10～400）之間形成一個厚度為100～5000的Cr中間層，并且把磁性薄膜直接形成在Cr中間層上。

按照本發明能夠提供一種特別適合垂直磁記錄的磁記錄載體。這是通過在基底表面上形成厚度為20～1000的Si中間層，C中間層和Ge中間層中的至少一種而實現的。而且，可以在磁記錄載體表面上形成一厚度為100～1000的非磁性保護層，由此可使其耐蝕性得到進一步改善并具有明顯的耐磨性。

本發明的顯著性能是基于以下作用。