[其他]莫來石基陶瓷材料無效
| 申請號: | 87103170 | 申請日: | 1987-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN87103170A | 公開(公告)日: | 1987-11-25 |
| 發明(設計)人: | 永山更成;牛房信之;篠原浩一;荻原覺 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | C04B35/10 | 分類號: | C04B35/10;C04B35/14 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 吳大建,全菁 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 莫來石基 陶瓷材料 | ||
1、一種莫來石基陶瓷材料,該材料包括0.1~10%(重量)的至少一種元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物,其余量為莫來石和伴隨雜質。
2、如權利要求1所述的莫來石基陶瓷材料,其中包括一種燒結產物,該燒結產物含有0.1~10%(重量)的至少一種作為元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物的Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Ac、Th、Er、Dy、Ho、Tm、Yb和Lu的氧化物,其余為由Al2O3·SiO2-2Al2O3·SiO2化合物組成的莫來石。
3、如權利要求1所述的莫來石基陶瓷材料,其中包括一種燒結產物,該燒結產物含有0.1~10%(重量)的至少一種除錒系元素的氧化物之外的元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物,其余為莫來石,其中的燒結產物的介電常數在1MHz下不大于9.5,它的抗彎強度在室溫下不低于150MPa。
4、如權利要求1所述的莫來石基陶瓷材料,其中包括0.1~10%(重量)的至少一種元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物、0.1~5.0%(重量)的氧化鎂和0.1~5.0%(重量)的氧化鈣中的至少一種,其余為莫來石和伴隨雜質。
5、如權利要求1所述的莫來石基陶瓷材料,其中包括一種燒結產物,該燒結產物含有0.1~10%(重量)的至少一種作為元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物的Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Ac、Th、Er、Dy、Ho、Tm、Yb和Lu的氧化物,以及0.1~5.0%(重量)的氧化鎂和0.1~5.0%(重量)的氧化鈣中的至少一種,其余為由為Al2O3·SiO2-2Al2O3·SiO2化合物組成的莫來石。
6、如權利要求4所述的莫來石基陶瓷材料,其中的燒結產物在1MHz下的介電常數不大于9.5,并且在室溫下的抗彎強度不低于150MPa。
7、一種陶瓷多層電路板,該板包括交替疊合在一起的陶瓷層和導電層,其中導電層通過通孔異體相互連接,其中的陶瓷層包括0.1~10%(重量)的至少一種元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物,其余為莫來石和伴隨雜質,或者包括一種燒結產物,該燒結產物含有0.1~10%(重量)的至少一種除錒系元素的氧化物以外的元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物,其余為莫來石,這種燒結產物的介電常數在1MHz下不大于9.5,并且在室溫下的抗彎強度不低于150MPa,或者包括一種燒結產物,該燒結產物含有0.1~10%(重量)的至少一種作為元素周期表中Ⅲa族元素的氧化物的Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Ac、Th、Er、Dy、Ho、Tm、Yb和Lu的氧化物,其余為由Al2O3·SiO2-2Al2O3·SiO2化合物組成的莫來石。
8、如權利要求7所述的陶瓷多層電路板,其中的導電層由Mo和W中的至少一種制成。
9、如權利要求7或8所述的陶瓷多層電路板,其中的陶瓷多層電路板裝有與印刷電路板電連接的管腳。
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