[其他]可集成的霍爾元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87102998 | 申請日： | 1987-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN87102998A | 公開（公告）日： | 1987-11-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 波波維克·拉迪沃耶;克羅斯·阿克西爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘭迪斯和吉爾楚格股份公司 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L29/82;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人： | 鄒光新 |
| 地址： | 瑞士楚格*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成 霍爾 元件 | ||
1、具有兩個(gè)電流端(C1、C2)和兩個(gè)傳感端(S1、S2)的可集成霍爾元件，其特征在于：由至少一個(gè)分段面將霍爾元件分成幾個(gè)結(jié)構(gòu)(1，2，3，4)，而傳感端(S1、S2)的連接接觸中心共同位于同一分段面上，其中結(jié)構(gòu)(1，2，3，4)互相交替的上下翻轉(zhuǎn)或不翻轉(zhuǎn)地在公用半導(dǎo)體層(5)上并聯(lián)安置，以這樣的方式，使結(jié)構(gòu)(1，2，3，4)的上表面最終全部位于半導(dǎo)體層(5)的公共表面平面上，其中，每一結(jié)構(gòu)(1，2，3，4)的上表面或下表面的幾個(gè)點(diǎn)中的至少兩個(gè)點(diǎn)的每一個(gè)點(diǎn)要與相鄰結(jié)構(gòu)的相應(yīng)的表面上的等電位點(diǎn)進(jìn)行電連接，或者其中兩個(gè)外側(cè)結(jié)構(gòu)(1，4)的外表面的幾個(gè)點(diǎn)互相連接，并連接到在該表面上的電流端C1和C2上，從而，中間分面的兩個(gè)外側(cè)等電位點(diǎn)中的每一個(gè)點(diǎn)分別與傳感連接端(S1，S2)相連，以使傳感器具有電壓。
2、按照權(quán)利要求1的可集成霍爾元件，其特征在于：半導(dǎo)體層（5）是在襯底（6）上生長的外延層，其中等電位點(diǎn)之間及與電流端（C1，C2）的連接端的一部分是由埋層組成，埋層位于襯底（6）和半導(dǎo)體層（5）之間，另一部分是在半導(dǎo)體層（5）的表面上以金屬化的形式出現(xiàn)，每一個(gè)連接端都具有一個(gè)接觸擴(kuò)散區(qū)7至15。因此，接觸擴(kuò)散區(qū)位于半導(dǎo)體層（5）上，其中，每一個(gè)結(jié)構(gòu)（1至4）都由一個(gè)絕緣環(huán)（16，17，17：18）橫向環(huán)繞，其中，襯底（6）和絕緣環(huán)（16：17，17：18）都是由同種導(dǎo)電類型（P）的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，半導(dǎo)體層（5）、埋層和接觸擴(kuò)散區(qū)（7至15）都由另一導(dǎo)電類型（N）的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，而埋層和接觸擴(kuò)散區(qū)（7至15）都由外加原子重?fù)诫s。
3、根據(jù)權(quán)利要求2的可集成霍爾元件，其特征在于：如果將與電流端（C1或C2）相連的兩個(gè)外側(cè)結(jié)構(gòu)（2，3）之一的點(diǎn)為埋層，（a1、b1、c1、d1、a3、b3、c3、d3），每一結(jié)構(gòu)（2或3）形成單個(gè)的、共用埋層（a1;b1;c1;d1;或a2;b2;c2;d2），埋層是通過穿通半導(dǎo)體層（5）的深擴(kuò)散區(qū)（20或21）連接到霍爾元件的表面與電流連接端（C1或C2）連接，深擴(kuò)散區(qū)（21，22）是由與埋層相同導(dǎo)電類型（N+）的材料組成，并且與埋層一樣是由外加原子重?fù)诫s。
4、根據(jù)權(quán)利要求1的可集成霍爾元件，其特征在于：在半導(dǎo)體層（5）上具有兩個(gè)結(jié)構(gòu)（2，3）其中一個(gè)被旋轉(zhuǎn)成與另一個(gè)成約90°角，其中，半導(dǎo)體層（5）是在襯底（6）上生長的外延層，其中，等電位點(diǎn)之間及與電流端（C1，C2）的連接是以半導(dǎo)體層（5）表面上的金屬化的形式出現(xiàn)，并且每一個(gè)連接端都具有與接觸擴(kuò)散區(qū)（7至12，25至32）之一進(jìn)行電接觸，接觸擴(kuò)散區(qū)（7至12和25至32）位于半導(dǎo)體層（5）的表面，其中，每一個(gè)結(jié)構(gòu)（2，3）都由一個(gè)絕緣環(huán)橫向環(huán)繞，其中，襯底（6）和絕緣環(huán)（23，24）都由同種導(dǎo)電類型（P）的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，而半導(dǎo)體層15和接觸擴(kuò)散區(qū)（7至12和35至32）都由另一種導(dǎo)電類型（N）的半導(dǎo)體材料組成，而接觸擴(kuò)散區(qū)（7至12和25至32）都由外加原子重?fù)诫s，其中，每一個(gè)結(jié)構(gòu)（2，3）都有兩個(gè)接觸擴(kuò)散區(qū)行（7，25;26;27;28和7;8;9或10;11和12和29;30;31;32）每一列接觸擴(kuò)散區(qū)都在半導(dǎo)體層表面上與另一列接觸擴(kuò)散區(qū)相對，其中兩個(gè)最外側(cè)的接觸擴(kuò)散區(qū)列（25，26，27，28或29，30，31，32）分別與霍爾元件的兩個(gè)電流端（C1，C2）之一連接。
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