[其他]柵控半導體四極管

無效

• 申請號: 87102851
• 申請日: 1987-04-17
• 公開（公告）號: CN87102851A
• 公開（公告）日: 1988-05-25
• 發明（設計）人: 王立模
• 申請（專利權）人: 無錫微電子聯合公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/68
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、柵控半導體四極管涉及半導體器件，它包括一個半導體雙極晶體管，其特征在于還包括一個置于雙極晶體管基極電流通道上的用于控制其基極注入電流的場效應柵電極，這個柵電極和雙極晶體管的三個電極均分別獨立地作為四極管的四個電極端子引出。

2、根據權利要求1所述的柵控半導體四極管，其特征在于它的場效應控制柵可以是結型柵，柵結構的設計必須使它能控制整個基極電流通道，該柵結可以是PN結，也可以是金屬一半導體整流結。

3、根據權利要求2所述的柵控半導體四極管，其特征在于它的結型場效應控制柵可以是增強型結構，也可以是耗盡型結構，作為耗盡型結構時，其溝道厚度和雜質濃度的選取，必須保證耗盡層夾斷溝道之前柵結不被擊穿。

4、根據權利要求1所述的柵控半導體四極管，其特征在于它的場效應控制柵可以是絕緣柵。

5、根據權利要求4所述的柵控半導體四極管，其特征在于它的場效應絕緣柵結構可以是增強型的，也可以是耗盡型的，作為耗盡型結構時，其柵結構的設計必須使它能控制整個基極電流通道，并且其溝道厚度和雜質濃度的選取，必須保證耗盡層夾斷溝道之前柵結不被擊穿。

6、根據權利要求4或5所述的柵控半導體四極管，其特征在于其絕緣柵結構可以是金屬柵結構或硅柵結構，其絕緣體可以是單層絕緣物質，也可以是多層不同絕緣物質的迭層，甚至混合絕緣物。

7、根據權利要求1，或2，或3，或4，或5所述的柵控半導體四極管，其特征在于它可以是用P溝場效應柵控制npn雙極晶體管的基極注入電流的四極管，也可以是用n溝場效應柵控制pnp雙極晶體管的基極注入電流的四極管。