[其他]用于電子照相的光接收元件

無效

• 申請號: 87102296
• 申請日: 1987-02-05
• 公開（公告）號: CN87102296A
• 公開（公告）日: 1987-10-21
• 發明（設計）人: 白井茂;齊藤惠至;新井孝至;加藤實;藤岡靖
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G5/08
• 分類號: G03G5/08;G03G5/04
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳秉芬

1、一種用于電子照相的光接收元件，其特征是它由一個基底和置于基底上的光接收層構成，光接收層由顯示光電導性的光電導層和一個表面層構成，光電導層由一種在硅原子陣列中包含氫原子和鹵素原子之中至少一種原子組分的非結晶材料構成，表面層由包含硅原子，碳原子和氫原子組分的非結晶材料構成，所述表面層中元素組分的分布密度沿層的厚度方向是變化的，以便在與上述光電導層的界面上獲得光學帶隙的匹配，而在所述表面層中氫原子的最大分布密度為41-70原子%。

2、按照權利要求1的光接收元件，其特征是其中所述表面層中組分的分布區存在于靠近基底一側的表面層中。

3、按照權利要求1的光接收元件，其特征是在所述表面層中組分的分布區復蓋了所述表面層的整個區域。

4、按照權利要求2或3的光接收元件，其特征是所述表面層在組分分布區中包含碳原子，其分布狀態為密集于靠近表面一側。

5、按照權利要求1-4的光接收元件，其特征是所述表面層在元素組分分布區中包含氫原子，其分布狀態為密集于靠近表面一側。

6、按照權利要求1-5的光接收元件，其特征是所述光電導層包含氧原子和氮原子之中至少一種。

7、按照權利要求1的光接收元件，其特征是進一步還包含一個電荷注入阻擋層，它包含了在硅原子陣列中用于控制導電性的物質，它作為所述光接收層的一個分層。

8、按照權利要求7的光接收元件，其特征是其中電荷注入阻擋層是非結晶態的。

9、按照權利要求7的光接收元件，其特征是所述電荷注入阻擋層是多晶態的。

10、按照權利要求7的光接收元件，其特征是在表面層中的組分分布區存在于靠近基底一側。

11、按照權利要求7的光接收元件，其特征是在表面層中組分的分布區復蓋了整個表面層區域。

12、按照權利要求10和11的光接收元件，其特征是所述表面層在元素組分的分布區中包含碳原子，其分布狀態為密集于表面一側。

13、按照權利要求7和10-12的光接收元件，其特征是所述表面層在元素組分的分布區中包含氫原子，其分布狀態為密集于靠近表面一側。

14、按照權利要求7和10-13的光接收元件，其特征是所述光電導層包含氧原子和氮原子之中至少一種原子。

15、按照權利要求7-9的光接收元件，其特征是電荷注入阻擋層包含氧原子、碳原子和氮原子之中至少一種原子。

16、按照權利要求7-15的光接收元件，其特征是電荷注入阻擋層含有用于控制導電性的物質，其分布狀態為密集于基底一側。

17、按照權利要求15的光接收元件，其特征是，電荷注入阻擋層包含氧原子、碳原子和氮原子之中至少一種原子，其分布狀態為密集于基底一側。

18、按照權利要求15的光接收元件，其特征是，含于電荷注入阻擋層中的氧原子，碳原子和/或氮原子存在于靠近基底一側。

19、按照權利要求1的光接收元件，其特征是還具有一個對長波光線敏感的長波吸收層，長波吸收層作為所述光接收層的一個分層，含有硅原子和鍺原子。

20、按照權利要求19的光接收元件，其特征是其中的長波吸收層是非結晶態的。

21、按照權利要求19的光接收元件，其特征是其中長波吸收層是多晶態的。

22、按照權利要求19的光接收元件，其特征是，在表面層中組分的分布區存在于靠近基底一側的表面層中。

23、按照權利要求19的光接收元件，其特征是，在表面層中組分的分布區復蓋了整個表面層區域。

24、按照權利要求22或23的光接收元件，其特征在于所述的表面層在元素組分的分布區中包含碳原子，其分布狀態為密集于靠近表面一側。

25、按照權利要求19和22-24的光接收元件，其特征在于，所述的表面層在元素組分的分布區中包含氫原子，其分布狀態為密集于靠近表面一側。