[其他]同位素X螢光載流測定礦漿濃度的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87102281 | 申請日: | 1987-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN87102281A | 公開(公告)日: | 1988-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李增強(qiáng);張宏江;張世春;金曉威 | 申請(專利權(quán))人: | 冶金工業(yè)部包頭稀土研究院 |
| 主分類號: | G01N23/20 | 分類號: | G01N23/20 |
| 代理公司: | 冶金專利事務(wù)所 | 代理人: | 陳佩琦 |
| 地址: | 內(nèi)蒙古自治區(qū)*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 同位素 螢光 測定 礦漿 濃度 方法 | ||
1、一種同位素X螢光載流測定礦漿濃度的方法,其特征在于采用低能光子源238Pu激發(fā)礦漿樣品,利用其產(chǎn)生的反散射射線強(qiáng)度與礦漿濃度之間的單值對應(yīng)的非線性關(guān)系,確定數(shù)學(xué)模型,測定與其反散射強(qiáng)度相應(yīng)的瞬時濃度值。
2、按照權(quán)利要求1所述的測定方法,其特征在于,所述的低能光子源238Pu,其能量在10-30KeV之間,強(qiáng)度為370-1110MBq。
3、按照權(quán)利要求1所述的測定方法,其特征在于所述的數(shù)學(xué)模型為C=A·IsB;其中C為礦漿濃度;Is為反散射峰強(qiáng)度;A、B為用回歸方法確定的常數(shù)。
4、按照權(quán)利要求1所述的測定方法,其特征在于238Pu光子源只需照射到待測礦漿表面即可測得濃度值。
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