[其他]晶閘管同相觸發(fā)裝置及同相觸發(fā)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87102014
• 申請日: 1987-04-11
• 公開（公告）號: CN87102014A
• 公開（公告）日: 1988-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南衡陽市半導(dǎo)體廠
• 主分類號: H02M1/06
• 分類號: H02M1/06
• 代理公司: 湖南省衡陽市專利事務(wù)所
• 代理人: 鄒小強

1、一種晶閘管同相觸發(fā)裝置，其特征是該裝置由以下幾個部分組成：一個由D₁的陰極與SCR₁的陽極串接、D₂的陰極與SCR₂的陽極串接、D₃的陰極與SCR₃的陽極串接，然后并聯(lián)后組成的主回路半控橋，SCR₁、SCR₂、SCR₃的控制極并接后與BG₂的發(fā)射極相接，SCR₁、SCR₂、SCR₃的陰極并接后作為電路輸出端的正極，D₁、D₂、D₃的陽極并接后作為電路輸出端的負極；一個由D₁、D₂、D₃和D₄、D₅、D₆組成的既作觸發(fā)裝置工作電源，又作觸發(fā)裝置移相信號源的三相全波整流器，D₄、D₅、D₆的陽極依次接在D₁、D₂、D₃的陰極與SCR₁、SCR₂、SCR₃的陽極之間，然后依次分別與變壓器B的次極相接，D₄、D₅、D₆的陰極并接后與BG₂的集電極相接；一個由R₁、DW₁、D₇串接，R₂、DW₂、D₈串接，R₃、DW₃、D₉串接，R₄、DW₄、D₁₀串接組成的輸入兼容性很強的四路檢測取樣器，D₇、D₈、D₉、D₁₀的陰極并接后與BG₁的基極相接；一個由BG₁受控放大器和BG₂射極輸出器及串接在BG₁的發(fā)射極與輸出端負極之間的D₁₁、D₁₂、D₁₃和接在接點1、2之間的電阻R₅、接在BG₂發(fā)射極和電路輸出端正極之間的電阻R₆所組成的移相控制器。

2、一種如權(quán)利要求1所述的晶閘管同相觸發(fā)裝置，其特征是由二極管D和晶閘管SCR組成的主回路可以是三相半控橋、或者是三相半波橋、或者是三相全波橋，也可以是單相半控橋、或者是單相半波橋、或者是單相全控橋。

3、一種如權(quán)利要求1或2所述的晶閘管同相觸發(fā)裝置，其特征是由R、DW、D串接組成的檢測取樣器的取樣回路可以少于四路取樣回路，也可以多于四路取樣回路。

4、一種晶閘管同相觸發(fā)方法，其特征是三相全波整流器的整流脈動直流電壓通過BG₂直接去觸發(fā)三個可控硅，晶閘管觸發(fā)方式是按照A相波形觸發(fā)A相可控硅、B相波形觸發(fā)B相可控硅、C相波形觸發(fā)C相可控硅的同相觸發(fā)方法觸發(fā)可控硅，其移相范圍三相電路為60度、單相電路為90度。