[其他]微電子電路的接合方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87101985
• 申請日: 1987-03-20
• 公開（公告）號: CN87101985A
• 公開（公告）日: 1987-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬丁·伯克;德特勒夫·坦布林克
• 申請（專利權(quán)）人: 舍林股份公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H05K3/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部
• 代理人: 王以平

1、電解淀積鋁層在微電子電路的接合中的使用。

2、按照權(quán)利要求1所述的電解淀積鉛層的使用，其特征在于：用上述鋁層覆蓋在導(dǎo)電層上并在覆蓋了適合的保護層后進行腐蝕。

3、按照權(quán)利要求1所述的電解淀積鉛層的使用，其特征在于：用敷鍍金屬、真空蒸發(fā)或陰極濺射的辦法在電路基板上形成一層導(dǎo)電金屬層，通過電鍍工藝在金屬層上淀積一層鋁層，然后在覆蓋上適合的保護層后進行腐蝕。

4、按照權(quán)利要求1所述的電解淀積鋁層的使用，在產(chǎn)生了導(dǎo)體線路將焊區(qū)以外的硅片鈍化，并用鋁的電鍍層加厚焊區(qū)。

5、按照權(quán)利要求1所述的電解淀積鋁層的使用，其特征在于：用電鍍鋁層覆蓋住中間基片，然后進行腐蝕。

6、按照權(quán)利要求1所述的電解淀積鋁層的使用，其特征在于：在對基片化學(xué)敷鍍金屬之后，加一層具有光電結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺層，以使鋁僅電解淀積在鍵合區(qū)和/或?qū)w線路上需要焊料阻擋層的地方。

7、按照權(quán)利要求1至6所述的電解淀積鋁層的方法制出的半導(dǎo)體。