[其他]正交的磁性存貯介質

無效

• 申請號: 87101975
• 申請日: 1987-03-18
• 公開（公告）號: CN87101975A
• 公開（公告）日: 1987-10-21
• 發明（設計）人: 那須昌吾;齋木幸治
• 申請（專利權）人: 鐘淵化學工業株式會社
• 主分類號: G11B5/85
• 分類號: G11B5/85
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 羅英銘,陳季壯

1、包括基片和在基片上形成的正交磁性各向異性膜的正交磁性存貯介質。其特征在于，正交磁性各向異性膜是一種金屬次氧化物膜。該氧化物具有的成分可用通用式[(Fe_1-xCOx)_1-yMy]_1zOz(其中，0.01≤x≤0.75，0≤y≤0.30，0.05≤z≤0.50。M是除Fe、Co之外的至少一種金屬)表示；該膜有與膜平面垂直的易磁化軸；在X射線衍射譜上可以觀察到由氧化的Fe產生的X射線衍射峰和由金屬態Fe、Co以及金屬M產生的X射線衍射峰。

2、根據權利要求1所述的介質，其中，大于80%的Co以金屬態存在，大于30%的Fe以FeO存在。

3、根據權利要求1到2中任何一項所述的介質，其中，金屬M是從包括Al，Cr，Mo，Ti和Zr一組金屬中選擇的至少一種金屬。

4、根據權利要求1到3中任何一項所述的介質，其中，飽和磁化強度的值不小于350〔emu/cm³〕。

5、根據權利要求1到4中任何一項所述的介質其中，正交磁性各向異性膜是用rf-濺射法或rf-磁濺射法制成的膜。

6、根據權利要求1到5中任何一項所述的介質，其中，柔性磁層是在基片和正交磁性各向異性膜之間形成的。