[其他]一種含硼銅基厚膜導體無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87101846 | 申請日： | 1987-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN87101846B | 公開（公告）日： | 1988-06-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 譚富彬;趙玲 | 申請（專利權）人： | 中國有色金屬工業(yè)總公司昆明貴金屬研究所 |
| 主分類號： | H01B1/02 | 分類號： | H01B1/02;H01L27/01;H05K3/10 |
| 代理公司： | 云南省專利事務所 | 代理人： | 何通培 |
| 地址： | 云南省昆明*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 含硼銅基厚膜 導體 | ||
【權利要求書】：
1、一種含硼銅基厚膜導體，由金屬粉末和玻璃料的混合物組成，所說的金屬粉末和玻璃料在所說的混合物中的含量分別為85～97Wt.%和3～5Wt.%，所說的玻璃料的成分為（Wt.%）：SiO27.0～69.5，CaO0～6.0，BaO0～5.0，Al2O30.5～3.0，MgO0～3.0，Na2O0～15.0，K2O0～4.0，Co2O30～1.0，PbO0～82.5，ZnO0～7.0，本發(fā)明的特征是，所說的金屬粉末是一種含硼的銅基合金粉末，其成分為（Wt.%）：B2～15，Al0.1～0.8，Zn0.1～1.2，Cu余量。
2、根據(jù)權利要求1的厚膜導體，其特征是，所說的銅基合金化學組成為（Wt.%）：B5～10，Al0.1～0.3，Zn0.2～0.5，Cu余量。
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