[其他]液晶光盤存儲器

無效

• 申請號: 87101753
• 申請日: 1987-03-04
• 公開（公告）號: CN87101753A
• 公開（公告）日: 1987-09-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平;水沼武
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G11C13/08
• 分類號: G11C13/08
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 吳增勇,肖春京

1、一種液晶光盤存儲器，特征在于它包括：

-一個透明基片；

-一個相對的基片；

-一個液晶層，它被設置在所述兩個基片之間，并可隨著加在液晶上的物理條件的變化而以顯著的光學特征局部地變更其狀態；

-許多圓形細槽，它們是在所述基片中的一片上形成的，并且是在平行于圓周方向上延伸著的；以及

-一種裝置，它可使液晶層在外部控制消失時，保持其狀態不變。

2、根據權利要求1的存儲器，特征在于：所述細槽是在許多同心圓上形成的。

3、根據權利要求1的存儲器，特征在于：其中所述各細槽是互相接著而成一螺旋線。

4、根據權利要求1的存儲器，特征在于：其中在所述相鄰細槽之間的環形區構成寫入信息的軌跡，在這些軌跡上是借助所述光特征寫上信息的。

5、根據權利要求1的存儲器，特征在于：其中所述各細槽構成寫入信息的軌跡，在這些軌跡上是借助所述光特征寫上信息的。

6、根據權利要求1的存儲器，特征在于：其中所述物理條件是存在著電場。

7、根據權利要求6的存儲器，特征在于：其中所述裝置是鄰接于在所述電場中的液晶層的鐵電層。

8、根據權利要求6的存儲器，特征在于：其中所述裝置包括一個電荷儲存區和一個絕緣體，只有當加有外部電場時該絕緣體才允許載流子在那里通過而進入電荷存儲區，并阻止儲存在所述存儲區里的載流子漏出。

9、根據權利要求8的存儲器，特征在于：其中所述存儲區是用通過稠密攙雜而得的富有懸空鍵的氮化硅制成的。

10、根據權利要求8的存儲器，特征在于：其中所述存儲區是由半導體制成。

11、根據權利要求10的存儲器，特征在于：所述半導體層是經過稠密攙雜的。

12、根據權利要求10的存儲器，特征在于：所述存儲區是以線群的方式提供的。

13、根據權利要求4的存儲器，特征在于：它還包括一對配備在所述基片上的電極。

14、根據權利要求4的存儲器，特征在于：其中所述液晶層是用一種碟狀結構液晶制成的，而與所述液晶層相鄰接的基片的相對內側都沿垂直方向定向。

15、根據權利要求4的存儲器，特征在于：其中所述液晶層是用一種有傾斜角的層列螺旋結構的液晶制成的。

16、根據權利要求13的存儲器，特征在于：它是由一種夾具合成的，該夾具擁有與所述電極接觸的內部端子以及與所述端子相連接的外部基座。

17、根據權利要求1的存儲器，特征在于：其中所述各細槽也作為尋跡導向裝置。