[其他]玻璃上涂層

無效

• 申請號: 87101283
• 申請日: 1987-12-24
• 公開（公告）號: CN87101283A
• 公開（公告）日: 1988-09-28
• 發明（設計）人: 邁克爾·斯圖亞特·詹金斯;安德魯·弗拉瑟爾·希姆普森;戴維德·安索尼·波特
• 申請（專利權）人: 皮爾金頓公共有限公司
• 主分類號: C03C17/30
• 分類號: C03C17/30;C03C17/34
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 陳季壯,羅英銘

本發明涉及涂層、特別是涉及底層的生成，該底層用于抑制虹彩、并用以保護對堿金屬離子敏感的覆蓋層，阻止堿金屬離子從底層玻璃表面向覆蓋層遷移。

G.B專利第2031756B號是關于反射紅外線的薄透明半導體涂層，這種涂層用以改善窗玻璃的絕緣性能，而且它本身是導電的。可用作電阻加熱器，例如除去窗子上的冰或冷凝水。按照BG專利2031756B，由于以下事實，這種涂層的應用受到限制，即它具有虹彩色調，尤其是在反射光時;這種虹彩效果美觀的角變是遠不能令人滿意的，而且由于虹彩的顏色隨涂層厚度的輕微變化而變化，這就使問題更加嚴重。GB2031756B曾提出克服虹彩問題的辦法，即在半導體涂層之下層積適宜的減輕虹彩的底層，并建議作為優選的底層是折光指數為1.7到18范圍、厚度在64nm到80nm范圍的底層。按照GB2031756B，該底層可籍適當組分混合物共沉積來形成，例如84±3%的氮化硅和剩余部分為二氧化硅（叫作氧氮化硅）的混合物。這種氧氮化硅膜可用硅源（例如SiH₄，（CH₃）₂SiH₂，（C₂H₅）₂SiH₂，（CH₃）₄Si，SiCl₄，SiBr₄）、氧源（例如O₂，H₂O，N₂O）和氮源（例如N₂H₄，NH₃，HN₃CH₃NHNH₂，（CH₃）₂NNH₂）或氧源和氮源一起（NO，NH₂OH，N₂H₄H₂O）在熱玻璃上于500℃到600℃的溫度下通過化學氣相沉積來形成。

盡管需要一種適宜的虹彩減輕底層，但是在GB2031756B專利中所提出的底層在商業上尚未應用到重要的程度，這是由于下述困難造成的，特別是所需沉積時間長，用已知方法形成足夠質量和厚度的底層有困難。

GB專利說明書2163146A，是關于在玻璃表面上形成隔離涂層，用以防止堿金屬離子從玻璃遷移至對堿金屬離子如氧化錫敏感的覆蓋層。該專利描述透明隔離涂層的形成，通過在氣體給電子化合物的存在下在熱玻璃表面上高于600℃的溫度使硅烷裂解，形成具有良好透光性且具有優異隔離性的透明隔離涂層;已發現，給電子化合物的存在可使玻璃上的氧摻入涂層，這樣就在玻璃表面形成一層厚達50nm的透明隔離涂層。

GB專利說明書2163146A的方法中所用的給電子化合物，或是含有鍵合電子，或是作為獨對電子，這些電子可授予適宜受體分子的電子結構。曾發現，使用給電子化合物結果使玻璃中的氧同硅烷中的硅在玻璃上形成透明的隔離層。盡管機理還不清楚，但可以確信該過程是包括給電子化合物在玻璃表面上的吸附。通常喜歡用不含氧的給電子化合物例如乙烯、或是含有一些氧原子的給電子化合物，例如一氧化碳和醇，通常被認為是還原劑。

由于透明隔離涂層可在無游離氧且在通常被認為是氧化劑化合物的存在下制備，因此該隔離涂層可涂覆在經過熔融金屬浴上的浮動玻璃帶上不致發生意外氧化的危險。

遺憾的是，當使用無氧給電子化合物來緩解硅烷在到達玻璃表面之前被氧化的危險和緩解反應氣氧化承載玻璃帶的熔融金屬浴時，GB專利第2031756B所推薦的形成較厚的虹彩減輕底層玻璃中就沒有足夠的氧提供，而較厚的底層是由含氧給電子化合物形成的，例如采用含氧給電子化合物如二氧化碳，曾發現硅烷與二氧化碳并用，其結果不是形成耐久性差的薄涂層，就是當試圖使涂層變厚時會形成白霧狀沉積物。

此外，當按照GB2163146A硅烷和乙烯并用以期形成透明度非常高（例如光透過率不低于底玻璃的2%）隔離涂層時，已發現涂層的隔離性能不能滿足某些應用。

這就需要一種方法適合于在浮動玻璃生產線上進行工業操作，以生產一種虹彩減輕的底層，這一方法已在GB專利2031756B中提出。還需要一種方法適合于在浮動玻璃生產線上進行工業操作，以生產作為有效隔離層的涂層，這種涂層對堿金屬離子從玻璃中遷移出去是有效地隔層，同時它還有非常高的透明度。