[其他]有電荷存儲結構的液晶器件

無效

• 申請號: 87100746
• 申請日: 1987-02-16
• 公開（公告）號: CN87100746A
• 公開（公告）日: 1987-09-16
• 發明（設計）人: 山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G02F1/135
• 分類號: G02F1/135
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖掬昌

1、一種液晶器件，其特征包括：

一塊透明基片；

一塊相對的基片；

一層其光學性質隨其中所感應的電場而變化的液晶層；

為在所說液晶層中感應電場所用的電極裝配，以及，

一個鄰近于其中裝有一層絕緣體的所說電極裝配的電荷存儲器。

2、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是由半導體制成的。

3、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是由金屬制成的。

4、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是由金屬化合物制成的。

5、權利要求4的器件，其特征在于所說電荷存儲區是由金屬硅化物制成的。

6、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是由鍺化合物制成的。

7、權利要求3的器件，其特征在于所說金屬是從鉑、鉬、鉭、鋁、銦和錫所組成的集合中選出來的。

8、權利要求1的器件，其特征在于所說液晶層由鐵電體液晶組成的。

9、權利要求1的器件，其特征在于所說光學特征是透光性。

10、權利要求1的器件，其特征在于所說光學特性是吸收的各向異性。

11、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是在所說電極裝配和所說液晶層間放置的一層薄膜。

12、權利要求1的器件，其特征在于所說電荷存儲區是一在所說電極裝配和所說液晶層間放置的團狀物。

13、權利要求1的器件，其特征在于還包括另一層在所說電荷存儲區和所說液晶層放置的絕緣體。

14、權利要求13的器件，其特征在于所說絕緣體的電導要選擇得使電荷只通過其中一層所說絕緣體而漂移進入所說電荷存儲區。

15、權利要求2的器件，其特征在于所說半導體區是由硅半導體制成的。

16、權利要求2的器件，其特征在于所說半導體區是由鍺半導體制成的。