[其他]一種成本低污染小高性能的微裂紋鉻工藝

無效

• 申請號: 87100409
• 申請日: 1987-01-26
• 公開（公告）號: CN87100409A
• 公開（公告）日: 1988-08-10
• 發明（設計）人: 郝瑞云
• 申請（專利權）人: 北京市理化分析測試中心
• 主分類號: C25D3/04
• 分類號: C25D3/04
• 代理公司: 北京市科技專利事務所
• 代理人: 王德楨

1、一種微裂紋鉻工藝，其特征在于在鉻酸溶液中含有硫酸或堿金屬、堿土金屬及銨的可溶性硫酸鹽；氟硼酸或堿金屬、堿土金屬及銨的可溶性氟硼酸鹽；亞硒酸、硒酸、硒的可溶性氧化物或鹽類；十二烷基苯磺酸鹽等。鍍鉻溶液中含有的鉻酸酐(CrO₃)、硫酸根(SO⁼₄)、氟硼酸根(BF^-₄)、硒(Se)及十二烷基苯磺酸鹽重量百分比為：

CrO₃：80～140g/l；

BF^-₄：0.4～0.8g/l；

SO⁼₄：0.4～0.8g/l；

Se：0.001～0.003g/l；

十二烷基苯磺酸鹽：0.3～1.0g/l。

2、按照權利要求1所述的一種微裂紋鉻工藝，其特征在于它可以是硫酸、硫酸銨、硫酸鍶、硫酸鈣;氟硼酸、氟硼酸鈉、氟硼酸鉀、氟硼酸銨;二氧化硒、硒酸、亞硒酸;十二烷基苯磺酸鈉。其各成分之中含有的CrO₃、SO^＝₄、BF^-₄、Se及十二烷基苯磺酸鈉，其重量百分比為：

CrO₃：80～140g/l BF^-₄：0.4～0.8g/l

SO^＝₄：0.4～0.8g/l Se;0.001～0.003g/l

十二烷基苯磺酸鈉：0.3～1.0g/l

3、按照權利要求1或權利要求2所述的微裂紋鉻工藝其特征在于直流電源電路上加電感電容濾波裝置;鍍液溫度在40℃～50℃范圍內;電流密度為5～30安培/平方分米。

4、按照權利要求3，其特征在于鍍液溫度在41℃～45℃范圍內。