[其他]互補(bǔ)金屬-氧化物-半導(dǎo)體鎖住狀態(tài)的恢復(fù)電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87100300 | 申請(qǐng)日: | 1987-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87100300A | 公開(公告)日: | 1987-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉姆·皮納德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 米特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H02H7/12 | 分類號(hào): | H02H7/12 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人: | 奚漢民,肖春京 |
| 地址: | 加拿大*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互補(bǔ) 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 鎖住 狀態(tài) 恢復(fù) 電路 | ||
本發(fā)明一般涉及電源電路,尤其涉及用于瞬時(shí)斷開開關(guān)式穩(wěn)壓電源的過(guò)電流斷路電路,如果接到該電源的電路中出現(xiàn)CMOS鎖住或其他強(qiáng)電流引起的故障狀態(tài),過(guò)電流斷路電路便瞬時(shí)斷開該電源。
如果極大的輸入信號(hào)加到放大器上,有源器件(如晶體管)可能被迫處于飽和或截止?fàn)顟B(tài)。在飽和狀態(tài)下,由于在有源器件的P和N型區(qū)域和基片之間無(wú)意中形成的寄生晶體管的緣故,可能會(huì)產(chǎn)生局部的反饋回路。該局部正反饋結(jié)果產(chǎn)生被稱為鎖住的狀態(tài)。
因此,在電源對(duì)有源器件供電的同時(shí),如果大輸入信號(hào)(起因于靜電沖擊等)施加于該器件,便可能發(fā)生鎖住。一般來(lái)說(shuō),只有手動(dòng)短時(shí)間斷開或拔掉電源,才有可能從鎖住狀態(tài)恢復(fù)。
在防止鎖住這一領(lǐng)域已作了大量的研究。1980年6月24日授予東京SHIBAURA電氣有限公司的美國(guó)專利4,209,713描述了一種用于消除寄生傳導(dǎo)影響的電路。典型呈電阻形式的消噪聲裝置接在CMOS電路的源極和外電源的正端之間。
然而,在CMOS集成電路中難以制造阻值適當(dāng)?shù)碾娮琛A硗猓茈娮璧南拗疲揅MOS器件不能得到其電源的全電壓。
在努力防止形成導(dǎo)致鎖住的寄生晶體管的過(guò)程中,已研制出許多電路,用以控制對(duì)CMOS電路施加高電壓源和低電壓源的時(shí)限。例如1984年4月3日批準(zhǔn)并授予米特爾(MITEL)公司的美國(guó)專利4,441,035揭示了一個(gè)電路,用以控制對(duì)一個(gè)CMOS電路施加同極性的高壓和低壓直流電源的時(shí)限。按照米特爾的電路,直到較高電壓的電源已經(jīng)加上,才允許施加較低電壓的電源,以便基本上消除寄生晶體管的形成。
1982年10月5日批準(zhǔn)并授予國(guó)家半導(dǎo)體公司的美國(guó)專利4,353,105描述一種用于體效應(yīng)硅CMOS電路的保護(hù)電路,該電路檢測(cè)鎖住,并據(jù)此使CMOS電路停電一段預(yù)定的時(shí)間,一旦鎖住狀態(tài)解除,使CMOS電路恢復(fù)正常工作。
米特爾專利和國(guó)家半導(dǎo)體公司的專利所描述的器件,一般安置在CMOS的自身電路之內(nèi),因此其結(jié)構(gòu)復(fù)雜,對(duì)制造技術(shù)要求很高且造價(jià)貴。此外,國(guó)家半導(dǎo)體公司的保護(hù)電路向CMOS電路提供一個(gè)控制信號(hào),該信號(hào)使CMOS電路處于小電流等待狀態(tài)。因此,該CMOS電路還包含用以中斷該控制信號(hào)的附加電路,這是造成電路復(fù)雜和造價(jià)高的具有代表性的原因之一。
已設(shè)計(jì)為數(shù)眾多的電源電路,用以提供對(duì)有源器件施加高電壓電源和低電壓電源的正確加壓時(shí)序。例如,在1973年9月26日公布的MATSUSHITA電氣有限公司的英國(guó)專利1,331,962,和1976年1月28日公布的菲利普電子及聯(lián)合工業(yè)有限公司的英國(guó)專利1,423,149中,對(duì)這樣一些電路進(jìn)行了說(shuō)明。這些先有技術(shù)的電源電路使用復(fù)雜的定時(shí)和定序電路,致力于防止CMOS鎖住和其他強(qiáng)電流引起的故障狀態(tài),但尚未提供針對(duì)從萬(wàn)一發(fā)生的故障中恢復(fù)的手段。
尤其是,根據(jù)菲利普的專利,電源所配備的電路裝置,如在故障狀態(tài)下工作,則將電源輸出電壓降低約其正常值的一半,但不降到零伏。因此,如果發(fā)生鎖住,盡管電壓降低,該CMOS電路仍然處于鎖住狀態(tài)。同樣,根據(jù)MATSUSHITA專利,所描述的電源系統(tǒng)中有一套電路,其設(shè)置的目的在于:如果出現(xiàn)極大的輸入信號(hào)或發(fā)生負(fù)載短路,便中斷該電源裝置的供電。這一公知的過(guò)電壓保護(hù)技術(shù)的不足之處在于,即使過(guò)電流消失后,可控硅電路也不能自己恢復(fù),為了恢復(fù)供電,需要一個(gè)開關(guān)來(lái)使可控硅電路恢復(fù)到其初始狀態(tài)。因此MATSUSHITA專利的缺點(diǎn)在于,需要手動(dòng)重新起動(dòng)該電源。
根據(jù)本發(fā)明,一個(gè)過(guò)電流斷路電路包含在電源之中,該電路監(jiān)視輸入電流,如果該電流超過(guò)預(yù)定的閾值,便關(guān)斷電源一段預(yù)定的時(shí)間,之后便自動(dòng)復(fù)原。該斷路電路安置在電源之內(nèi),從而克服了與先有技術(shù)有關(guān)的需將CMOS電路中的保護(hù)電路本身復(fù)合在整機(jī)線路上而造成的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、造價(jià)高的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的電路,實(shí)際上提供了使電源從萬(wàn)一發(fā)生的故障狀態(tài)中恢復(fù),而不象先有技術(shù)所使用的定序電源電路那樣,僅僅用復(fù)雜的定時(shí)和延時(shí)電路來(lái)力圖防止這種故障的發(fā)生。
參考下文結(jié)合附圖所作的詳細(xì)說(shuō)明,將對(duì)本發(fā)明有更深入的了解。
圖1為根據(jù)本發(fā)明,用于開關(guān)穩(wěn)壓電源的過(guò)電流斷路電路的原理圖。
參照?qǐng)D1,有一對(duì)在諸如專用自動(dòng)小交換臺(tái)的電話系統(tǒng)中的常見的平衡引線對(duì),塞尖(TIP)和塞環(huán)(RING),未調(diào)輸入電壓VIN加到其中一引線(塞尖)上,塞環(huán)引線接地。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于米特爾公司,未經(jīng)米特爾公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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