[其他]高速響應(yīng)光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 87100058
• 申請日: 1987-01-06
• 公開（公告）號: CN87100058A
• 公開（公告）日: 1987-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山崎舜平;間瀨晃;浜谷敏次
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18;H01L25/02
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

1、一種光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換器包括；

一層光電半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層相對表面上形成并完全遮蓋該相對表面的第一和第二電極；

一層在所述半導(dǎo)體層周邊形成并防止所述周邊暴露的樹脂層。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第二電極由鉻制成。

3、根據(jù)權(quán)利要求2的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述半導(dǎo)體層由硅制成。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換器還包括由所述第二電極和所述半導(dǎo)體層之間相互作用形成的硅化鉻。

5、一種光傳感器，其特征在于，該光傳感器包括;

一個襯底;

一個在所述襯底上形成的第一電極;

一層在所述第一電極上形成并在空間上限制在所述電極周邊范圍內(nèi)的光電半導(dǎo)體層;和

一個在所述半導(dǎo)體層外表面形成并完全遮蓋該外表面的第二電極。

6、根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器，其特征在于，該傳感器還包括一層與所述半導(dǎo)體層周邊接觸的樹脂層。

7、根據(jù)權(quán)利要求6的傳感器，其特征在于，該傳感器包括多個成排配置在所述襯底上的光電元件，各光電元件由所述半導(dǎo)體層和所述第一和第二電極組成。

8、根據(jù)權(quán)利要求7的傳感器，其特征在于，所述第一電極還起輸出引出線的作用。

9、根據(jù)權(quán)利要求8的傳感器，其特征在于，所述多個光電元件和沿所述排延伸的第二電極一樣，共用一個電極。

10、根據(jù)權(quán)利要求6的傳感器，其特征在于，該傳感器包括多個在所述襯底上以矩陣的形式配置的光電元件，各光電元件由所述半導(dǎo)體層和所述第一和第二電極組成。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的傳感器，其特征在于，配置在所述矩陣各排的光電元件與所述沿該排延伸的第一電極一樣，共用一個電極片，同時，配置在所述矩陣各列的光電元件共用延列沿伸的一個電極片。

12、一種制造光傳感器的方法，其特征在于，該方法包括：

襯底制備工序;

在所述襯底主表面上形成第一電極的工序;

在所述第一電極上形成光電半導(dǎo)體層的工序;

在所述半導(dǎo)體層上形成第二電極的工序;和

除去超出第一或第二電極延伸的半導(dǎo)體層部分的工序。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，所述襯底由透明窗格玻璃制成，所述方法包括;

在所述襯底上覆蓋整個襯底形成光固化層的工序;

以所述半導(dǎo)體層的一層或所述第一或第二電極作為掩模從所述襯底背面用光照射所述襯底以使所述光固化層的較低部分固化的工序;和

除去所述光固化層未固化部分的工序。

14、根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層除去工序系以所述第二電極作為掩模，腐蝕所述半導(dǎo)體層進(jìn)行的。

15、根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，在進(jìn)行所述形成所述第一電極和半導(dǎo)體層工序之后，將半導(dǎo)體層腐蝕成多個第一片條。

16、根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其特征在于，所述第二電極為橫過所述第一片條的第二片條。

17、一種制造光電轉(zhuǎn)換器的方法，其特征在于，該方法包括;

襯底制備工序;

在所述襯底上形成第一電極的工序;

在所述第一電極上形成光電半導(dǎo)體層的工序;

在所述半導(dǎo)體層上形成第二電極的工序;

通過所述諸電極往所述半導(dǎo)體層兩端施加偏壓的工序;和

將所述半導(dǎo)體與所述諸電極隔離成多個光電轉(zhuǎn)換元件的工序。

18、根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其特征在于，所述多個元件組成線性圖象傳感器的光敏部分。

19、根據(jù)權(quán)利要求1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一電極系制成透明電極，使入射光可照射到所述光電半導(dǎo)體層上，所述第二電極則制成不透明電極。

20、根據(jù)權(quán)利要求1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一和/或第二電極系制成透明電極，使入射光可射到所述光電半導(dǎo)體層上。