[其他]光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87100057 | 申請日: | 1987-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN87100057A | 公開(公告)日: | 1987-07-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山崎舜平 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L31/06 | 分類號: | H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
| 地址: | 日本奈川*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 轉(zhuǎn)換器 及其 制造 方法 | ||
1、一種光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,該光電變換器包括:
一個(gè)透明襯底;
一個(gè)設(shè)在所述襯底上配置有電極的光敏半導(dǎo)體層;和
一個(gè)設(shè)在所述襯底上與所述半導(dǎo)體層毗鄰并與所述半導(dǎo)體層的周邊接觸的樹脂層,所述樹脂層與所述樹脂層周邊之間的接觸系采用所述半導(dǎo)體層作為掩模以腐蝕所述樹脂層,因而極為貼近,從而在所述接觸部分大體上不存在寄生通道。
2、一種圖象傳感器,其特征在于,該圖象傳感器包括:
一個(gè)襯底;和
配置在所述襯底上的光敏半導(dǎo)體陣列,所述陣列各元件由一半導(dǎo)體層和一對配置在所述半導(dǎo)體層相對表面上且完全遮蓋所述相對表面的電極所組成。
3、根據(jù)權(quán)利要求2的傳感器,其特征在于,所述第一和第二電極與所述半導(dǎo)體層彼此重疊。
4、根據(jù)權(quán)利要求2的傳感器,其特征在于,該傳感器還包括多個(gè)分別與所述第一電極接觸的信號引出線。
5、根據(jù)權(quán)利要求2的傳感器,其特征在于,該傳感器還包括一層配置在所述陣列元件各相鄰元件之間的樹脂層。
6、根據(jù)權(quán)利要求5的傳感器,其特征在于,所述樹脂層的上部表面不高于所述半導(dǎo)體層的上部表面。
7、根據(jù)權(quán)利要求5的傳感器,其特征在于,所述樹脂層與所述半導(dǎo)體層齊平。
8、一種制造由多個(gè)傳感器元件組成的圖象傳感器的方法,其特征在于,該方法包括:
制備襯底工序;
在所述襯底上加設(shè)電極的工序;
在所述第一電極上敷上光電半導(dǎo)體層的工序;
在所述半導(dǎo)體層上加設(shè)第二電極的工序;
用多個(gè)掩模在所述安置在分別與傳感器元件相對應(yīng)位置上的第二電極上、一次腐蝕所述第一和第二電極以及所述半導(dǎo)體層的工序。
9、根據(jù)權(quán)利要求8的方法,其特征在于,該方法還包括制造多個(gè)引出所述元件輸出用的導(dǎo)線的工序。
10、根據(jù)權(quán)利要求8的方法,其特征在于,,該方法還包括在所述各元件之間配置樹脂層的工序。
11、根據(jù)權(quán)利要求10的方法,其特征在于,所述襯底是透明的。
12、根據(jù)權(quán)利要求11的方法,其特征在于,所述樹脂層系以所述各個(gè)元件作為掩模用光蝕刻法蝕刻陰性感光性樹脂形成的。
13、根據(jù)權(quán)利要求12的方法,其特征在于,蝕刻條件系這樣選擇,使剩余的樹脂層與所述半導(dǎo)體層齊平。
14、根據(jù)權(quán)利要求1的光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述電極結(jié)構(gòu)包括設(shè)在所述半導(dǎo)體層一個(gè)表面上的第一電極和設(shè)在所述半導(dǎo)體層另一個(gè)表面上的第二電極。
15、根據(jù)權(quán)利要求14的光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述第一電極系制成透明電極,使入射光可射到所述光電半導(dǎo)體層上,所述第二電極則制成不透明的電極。
16、根據(jù)權(quán)利要求14的光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述第一和或第二電極系制成透明電極,使入射光可射到所述光電半導(dǎo)體層上。
17、根據(jù)權(quán)利要求14的光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,半導(dǎo)體層和第一和第二電極之間的接觸系電阻性接觸。
18、根據(jù)權(quán)利要求17的光電轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述半導(dǎo)體層含有n-i-n結(jié)、p-i-n結(jié)或m-i結(jié)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





