[其他]通芯絕緣子

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86210305
• 申請(qǐng)日: 1986-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN86210305U
• 公開（公告）日: 1988-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐裕根;梅海平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海前進(jìn)無線電元件廠
• 主分類號(hào): H01B17/24
• 分類號(hào): H01B17/24;H01B17/26
• 代理公司: 上海專利事務(wù)所
• 代理人: 劉慶玫

本實(shí)用新型涉及一種絕緣子，特別是涉及一種適用于電容器及抗電強(qiáng)度要求達(dá)到2000伏的電氣產(chǎn)品的通芯絕緣子。

隨著家用電器的普及，用電安全成為突出問題。電容器是電氣設(shè)備的主要部件，為了進(jìn)一步提高電氣設(shè)備的安全可靠性，使其能打入國(guó)際市場(chǎng)，其中很重要的一點(diǎn)就是其選用的元器件的抗電強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)須由原國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)過渡到國(guó)際IEC標(biāo)準(zhǔn)（交流電容器外殼與引出頭之間抗電強(qiáng)度為額定工作電壓的1.3倍，若低于2000伏的交流一律按2000伏交流試驗(yàn)）。

通過對(duì)常規(guī)的通芯絕緣子進(jìn)行檢驗(yàn)分析，發(fā)現(xiàn)其擊穿并非絕緣體本身直接被擊穿所至，直接原因是絕緣材料表面吸附塵埃及潮氣的作用造成絕緣體表面的空氣被電離而將絕緣體化學(xué)擊穿。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上看，常規(guī)通芯絕緣子的下半部分為最弱部位。此時(shí)，如果采用大一號(hào)規(guī)格的絕緣子來增加絕緣體的表面積的話，則會(huì)造成成本的提高并同時(shí)需改造使用該產(chǎn)品的電器產(chǎn)品的生產(chǎn)線。

為了配合電容器生產(chǎn)廠已經(jīng)形成的大批量生產(chǎn)線，考慮在貫徹國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)時(shí)應(yīng)盡量減少或不對(duì)原產(chǎn)品使用單位的配套產(chǎn)品作改變。

本實(shí)用新型的目的是提供一種具有高的抗電強(qiáng)度的通芯絕緣子。

本實(shí)用新型的目的是通過下列方式實(shí)現(xiàn)的，在保持原有產(chǎn)品外徑的前提下，適當(dāng)增加絕緣體的表面積，特別是適當(dāng)增加了通芯絕緣子絕緣體的下半部分的軸向高度。具體地說，一種主要包括金屬芯管、絕緣體和金屬墊圈的通芯絕緣子，其中，金屬芯管位于中間，其外部包覆著近似球狀的絕緣體，金屬芯管的頂端高出絕緣球體，球狀絕緣體最大直徑處水平設(shè)置的金屬墊圈將該球狀絕緣體分為上半球和上半球，上半球以金屬墊圈的外徑為最大直徑，下半球的最大直徑約與金屬墊圈的內(nèi)徑相等，其特征是滿足下式：

(h)/(D) ＝0.352～0.5 （1）

(R)/(h) ＝0.70±0.15

其中h為絕緣體下半球體高度，D為金屬墊圈外徑，R為絕緣體下半球球體半徑。

按照本實(shí)用新型方法的通芯絕緣子達(dá)到了上述目的，使通芯絕緣子的抗電強(qiáng)度可提高到原來的1.4倍多，可使使用本實(shí)用新型通芯絕緣子的電容器的抗電強(qiáng)度達(dá)到國(guó)際IEC標(biāo)準(zhǔn)。本實(shí)用新型由于外徑D與常規(guī)通芯絕緣子的外徑相同，故不需對(duì)其使用單位的設(shè)備作任何改動(dòng)，方便了用戶，適用性廣，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)。

圖1為先有技術(shù)中常規(guī)通芯絕緣子的軸向剖示圖；

圖2為本實(shí)用新型通芯絕緣子外形圖；

圖3為本實(shí)用新型通芯絕緣子的軸向剖示圖。

首先參見圖1，常規(guī)通芯絕緣子具在軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，其主要包括金屬芯管1，金屬芯管外部包覆著形似球狀的絕緣體2，金屬芯管1有伸出絕緣球體2的端部3，球狀絕緣體最大直徑處水平設(shè)有金屬墊圈4，金屬墊圈4將球狀絕緣體分為上半球5和下半球6，上半球5較大，其最大直徑約與金屬墊圈4的外徑相等，下半球6的最大直徑約與金屬墊圈4的內(nèi)徑相等。設(shè)定其主要相關(guān)尺寸分別為：金屬芯管1的總高為H₁，下半球6高h(yuǎn)₁，，下半球6弧長(zhǎng)為l₁，金屬墊圈4外徑為D和下半球6的球半徑為R。

現(xiàn)參照?qǐng)D2、3，詳細(xì)描述本實(shí)用新型通芯絕緣子的最佳實(shí)施例。

如圖2及3所示，本實(shí)用新型的通芯絕緣子具有與上述常規(guī)通芯絕緣子相同的結(jié)構(gòu)，即包括金屬芯管10，絕緣體11，和金屬墊圈12，絕緣體同樣地以金屬墊圈12為界被分為上、下部分半球15、16，只是略改變了絕緣體下半球的形狀和尺寸，具體地說是增加了下半球的高度進(jìn)而增加了下半球的弧長(zhǎng)，對(duì)最佳實(shí)施例而言，其相關(guān)尺寸如下：金屬芯管10總高H為9.5，下半球高h(yuǎn)為28，下半球16弧長(zhǎng)l約為3.15，金屬墊圈12的外徑D為7.1，下部絕緣球體16的球半徑R為2.1±0.5，其中墊圈外徑D和下半球球體半徑R與常規(guī)通芯絕緣子相同。這樣，本實(shí)施例的絕緣子與原有絕緣子相比弧長(zhǎng)l是常規(guī)絕緣子弧長(zhǎng)l₁的1.432倍。

由于絕緣體的抗電強(qiáng)度近似正比于絕緣體表面弧長(zhǎng)l，故可使本實(shí)用新型的通芯絕緣子的抗壓強(qiáng)度為常規(guī)通芯絕緣子的1.432倍。即由原來的抗電強(qiáng)度極限為交流1800伏提高到了交流2580伏。而通過實(shí)際測(cè)量后所得的值略為高于該計(jì)算值，為交流2800伏。

本實(shí)用新型的方法同樣適用于同類產(chǎn)品不同規(guī)格的通芯絕緣子。如比其大一號(hào)規(guī)格的通芯絕緣子，即金屬墊圈外徑D＝10.1。此時(shí)根據(jù)上述式（1）可得出h增量變化范圍，通過適當(dāng)增加h值，同樣可提高該規(guī)格通芯絕緣子的抗電強(qiáng)度。