[其他]超高頻中功率負載無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86207242 | 申請日: | 1986-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN86207242U | 公開(公告)日: | 1988-03-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 喬世忠;張廣英;曹瑛花 | 申請(專利權)人: | 上海市測試技術研究所 |
| 主分類號: | H01P1/22 | 分類號: | H01P1/22;H01P11/00 |
| 代理公司: | 上海專利事務所 | 代理人: | 胡英浩 |
| 地址: | 上海市長樂*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超高頻 功率 負載 | ||
本實用新型涉及一種卡片式等效負載,特別涉及一種超高頻(VHF)中功率(P≤120w)負載。
眾所周知在先有技術中,等效負載被廣泛地應用在廣播通訊領域中。一般小功率的等效負載采用吸收式原理制成,也有用棒形電阻制成的中功率等效負載,這類負載所承受的功率都較小,體積大,使用時必須用風扇強制冷卻,噪聲大,國內(nèi)產(chǎn)品一般功率都做不大。國外所使用的等效負載,其衰減片一旦鍍制上衰減材料后,就無法再進行阻抗的調(diào)整,因而對其制作精度及衰減材料的要求很高。這類衰減片都是用精密加工,精密配合,嵌入式的封裝方法加以固定。一旦產(chǎn)品定型,就無法進行再調(diào)節(jié),對產(chǎn)品的一次合格率要求非常高,從而導致了這類產(chǎn)品的價格很昂貴。
本實用新型的目的在于提供一種能對卡片式衰減片進行阻抗再調(diào)整的超高頻(VHF)中功率(P≤120w)負載。
本實用新型的另一個目的在于提供一種帶有功率指示、可用作天線假負載的超高頻(VHF)中功率(P≤120w)負載。
根據(jù)本實用新型,一個超高頻(VHF)中功率(P≤120w)負載,包括一個同軸傳輸內(nèi)導體,多個散熱片,一個絕熱過渡傳輸線,一個功率輸入接頭和衰減片,本實用新型的特征在于該同軸傳輸內(nèi)導體上安置有多個散熱片,一個高頻功率輸入接頭固定在該同軸傳輸內(nèi)導體的一端,高頻功率輸入接頭的另一端延伸進入該內(nèi)導體中,與位于該內(nèi)導體中的絕熱過渡傳輸線的一端相接觸,絕熱過渡傳輸線用于絕熱并用于阻抗匹配,其另一端與卡片式衰減片相接觸,在該卡片式衰減片上濺射有用于衰減功率的復合阻抗材料。
本實用新型的優(yōu)點在于解決了功率在衰減片上所受負荷的不均勻問題。根據(jù)本實用新型制造的超高頻(VHF)中功率(P≤120w)負載,體積小,不用風冷,它可以在下列條件下工作:
1).頻率范圍:????????10兆赫~250兆赫(MHZ)
2).輸入阻抗:????????50歐(Ω)
3).額定功率:????????P≤120瓦(w)
4).電壓駐波比:????????S≤1.22
5).功率示值誤差:????????≤10%(在P=120瓦時)
6).環(huán)境要求:????????當溫度為40℃、負載功率為120瓦時,連續(xù)工作4小時以上,極間溫度≤70℃。
本實用新型的具體特征、制造工藝以及其它的目的,并從而具有的優(yōu)點,可以從附圖及相應描述的根據(jù)本實用新型的實施例中清楚地體現(xiàn)出來,其中:
圖1是根據(jù)本實用新型顯示其整體內(nèi)部結構的截面圖;
圖2是根據(jù)本實用新型中功率卡片式負載衰減片的結構示意圖;
在圖1中,散熱片4由墊圈3隔開一片片地安置在同軸傳輸內(nèi)導體6上,這樣散熱片4之間有一定距離的間隔,以便使散熱片4達到充分散熱的目的。在同軸傳輸內(nèi)導體6的一端安置有一個一端延伸進該同軸傳輸內(nèi)導體6的高頻輸入接頭2,其另一端可以與輸入功率訊號端相連接,本實施例中高頻輸入接頭2為上海無線電十六廠的產(chǎn)品。隔著云母片,延伸進該同軸傳輸內(nèi)導體6中的高頻輸入接頭2的一端與絕熱過渡傳輸線10的一端相連接,該絕熱過渡傳輸線10的基體由氧化鈦介質(zhì)(ε=6)制成,在其基片的正反兩面都濺射有合金導帶,其目的在于把熱量隔阻在高頻輸入接頭2處,同時又使中功率訊號通過該絕熱過渡傳輸線10,該絕熱過渡傳輸線10的鍍銀帶線的阻抗設計可由下列算式導出:
Z0=Z0′/
Z0′=120πh/ω………………………………(2)
εB=εr+1/2+εr-1/2(1+10h/ε
式中:Z0為特性阻抗,一般為50歐(Ω),
h為基體厚度,一般為2毫米(mm),
ω為絕熱過渡傳輸線10的寬度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海市測試技術研究所,未經(jīng)上海市測試技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/86207242/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





