[其他]外腔粘接型窄線寬單模半導體激光器

無效

• 申請號: 86202829
• 申請日: 1986-05-08
• 公開（公告）號: CN86202829U
• 公開（公告）日: 1987-06-10
• 發明（設計）人: 許知止;陳家驊;霍玉晶;周炳琨
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01S3/139
• 分類號: H01S3/139
• 代理公司: 清華大學專利事務所
• 代理人: 胡蘭芝

1、一種外腔單模半導體激光器，由半導體激光二極管、自聚焦透鏡、反射鏡、調整機構和致冷裝置組成，其特征在于由位于耦合腔一側端面鍍有適當增透介質膜的半導體激光二極管的兩個端面構成本征腔，用兩端鍍有增透介質膜的自聚焦透鏡和介質膜部分反射鏡構成光反饋和光輸出系統，由半導體激光二極管未鍍膜的端面和介質膜部分反射鏡形成長耦合外腔，全部結構用粘接劑粘接為一個整體，密封在外殼內，殼內充有保護氣體。

2、按照權利要求1所說的外腔粘接型窄線寬單模半導體激光器，其特征在于粘接劑可為環氧樹脂。

3、按照權利要求1和2所說的外腔粘接型窄線寬單模半導體激光器，其特征在于所充保護氣體可為N₂氣。

4、按照權利要求1和2所說的外腔粘接型窄線寬單模半導體激光器，其特征在于半導體激光二極管位于耦合腔一側端面鍍ZrO₂增透膜T＝90％～99％。