[其他]大功率轉(zhuǎn)折二極管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86201268 | 申請日: | 1986-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN86201268U | 公開(公告)日: | 1987-12-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃守南;韓偉德;凌煒 | 申請(專利權(quán))人: | 機(jī)械工業(yè)部廣州電器科學(xué)研究所 |
| 主分類號: | H01L29/74 | 分類號: | H01L29/74;H01L23/36 |
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| 地址: | 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大功率 轉(zhuǎn)折 二極管 | ||
轉(zhuǎn)折二極管,亦稱BOD,是電力半導(dǎo)體器件。圖1是其伏安特性曲線,反向特性與普通二極管相同,而正向特性有別于普通的二極管。當(dāng)元件兩端施加正向電壓時,如果電壓低于轉(zhuǎn)折電壓VBO,元件呈高阻狀態(tài);如果電壓等于或高于VBO,元件即會發(fā)生轉(zhuǎn)折導(dǎo)通,元件呈低阻狀態(tài),這時流過元件的工作電流很大,而元件兩端的壓降很小,一般在3V以下。
公知的轉(zhuǎn)折二極管,管芯直徑一般很小,在15mm以下,而工作電流不超過30安。因此,只適宜在較小功率的場合下應(yīng)用。如果要增大轉(zhuǎn)折二極管的電流,必然要增大硅片的直徑。事實(shí)上,簡單地增加直徑并不能使工作電流大幅度地提高。這是因?yàn)楣杵睆皆龃笠院螅杵螾N結(jié)產(chǎn)生的缺陷或由擴(kuò)散引起的雜質(zhì)分布不均勻的機(jī)率隨之增大,在元件最初轉(zhuǎn)折導(dǎo)通時,大電流就會集中地從有缺陷的地方通過,從而引起局部高溫,致使元件在第一次導(dǎo)通后就永久地破壞。因此,在需要通過大電流的情況下,如工作電流需要達(dá)到幾百安,甚至幾千安時,現(xiàn)有技術(shù)是將轉(zhuǎn)折二極管接到大功率晶閘管的門極回路,用它來觸發(fā)大功率晶閘管的導(dǎo)通來達(dá)到增大電流的目的。圖2是組件的原理線路,其中(1)是公知的轉(zhuǎn)折二極管,(2)是大功率晶閘管。
本實(shí)用新型的任務(wù)是制造出一種轉(zhuǎn)折二極管,既具有和公知的轉(zhuǎn)折二極管相同的伏安特性,又具有圖2的組件所具有的功能,也就是使轉(zhuǎn)折二極管的工作電流比現(xiàn)有技術(shù)提高2~3個數(shù)量級。
本實(shí)用新型的解決方案是根據(jù)工作電流的大小,適當(dāng)選擇硅片的參數(shù)及其直徑,其直徑一般等于或大于30mm,硅片要盡量消除任何局部的缺陷,平整度控制在5μm以下,表面光潔度為8~12。硅片采用兩次擴(kuò)散法加工,而兩次擴(kuò)散的結(jié)深及表面深度要嚴(yán)格控制和互相匹配。第一次擴(kuò)散采用真空閉管法,硅片的表面濃度要求達(dá)到高度均勻,結(jié)深在80μm以上;第二次擴(kuò)散可以用涂層擴(kuò)散法,其結(jié)深15μm以上,第二次擴(kuò)散的表面濃度應(yīng)為第一次擴(kuò)散的1000倍以上。
本實(shí)用新型的元件是平板壓接式結(jié)構(gòu),在使用時可以安裝散熱器,散熱器以機(jī)械方法夾緊元件的兩個電極,使之能良好地導(dǎo)電與散熱。
本實(shí)用新型的大功率轉(zhuǎn)折二極管,由于工作電流遠(yuǎn)比公知的轉(zhuǎn)折二極管大,因此,可以直接用于大型電器設(shè)備,如大型發(fā)電機(jī)組的轉(zhuǎn)子過電壓保護(hù)器上。其明顯的優(yōu)點(diǎn)是過流能力大,動作電壓(即轉(zhuǎn)折電壓)準(zhǔn)確,線路簡單,工作可靠,而且體積小。
圖3和圖4描述了本實(shí)用新型的一個實(shí)施例。
圖3是工作電流為3000安(每次導(dǎo)通時間1秒)的大功率轉(zhuǎn)折二極管的管芯剖面圖,N2(3),P2(4),N1(5),P1(6)為用擴(kuò)散法形成的同一硅片(9)上的四個PN層,硅片(9)與鋁片(8)及鉬片(7)用真空燒結(jié)的方法結(jié)合在一起,直徑都是45mm,鉬片(7)是陽極。在N2(3)上有許多均布的小洞,這是短路點(diǎn)(10)。復(fù)蓋在N2(3)上及短路點(diǎn)(10)上的鋁層(11)是陰極。硅片(9)的平整度≤5μm,表面光潔度10以上,第一次擴(kuò)散結(jié)深110~115μm,第二次擴(kuò)散結(jié)深20~25μm,第二次擴(kuò)散的表面濃度要比第一次高1200~1500倍以上。
圖4是工作電流為3000安的大功率轉(zhuǎn)折二極管的結(jié)構(gòu)剖面圖。金屬片(12),陶瓷環(huán)(13)和金屬片(14)用陶瓷金屬化工藝焊接成上管殼。金屬片(15),陶瓷環(huán)(16)和金屬片(17)相應(yīng)構(gòu)成下管殼,管芯(18)的上面放置銀墊片(19)和鍍銀的紫銅塊(23)后,一起置于上下管殼之間。管芯的周圍襯墊一圈聚四氟乙烯片(22),然后將上下管殼在(21)處焊成一體。元件在應(yīng)用時,要用金屬的壓頭(20)和(24)給元件的兩電極施加足夠大的壓力,使其導(dǎo)電導(dǎo)熱性能良好,并且通過這兩個金屬壓頭接到電路中去。
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H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





