[其他]單晶連續生長裝置無效
| 申請號： | 86200234 | 申請日： | 1986-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN86200234U | 公開（公告）日： | 1986-10-22 |
| 發明（設計）人： | 施仲堅;李惠章;劉金龍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 中國科學院聲學研究所專利辦公室 | 代理人： | 崔茹華,夏秀英 |
| 地址： | 北京市中*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 連續 生長 裝置 | ||
【權利要求書】：
1、一種采用白金質坩堝提拉單晶的裝置，其特征在于它由拉晶爐(7)，退火爐(8)，降溫區(9)，(10)，晶體運輸機械系統(15)，(16)，(17)，(18)，隔熱堵頭11-1，11-2，11-3，11-4，溫度控制裝置所構成。
2、按權利要求1所述的裝置，其特征在于該裝置由四個區Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ所組成，各級鄰區分別由隔熱堵頭11－1，11－2，11－3，11－4連接。
3、按權利要求1所述的裝置，其特征在于各區的溫度由PID與程控儀所組成的溫控系統控制。
4、按權利要求1所述的裝置，其特征在于該裝置的拉晶爐可以安置一個或多個坩堝（12），以及與此相對應的，可以有一個或多個加料管（14）。
5、按照權利要求2至4所述的裝置，其特征在于該裝置的晶轉機械控制設備是在軌道（17）上完成晶體的轉移，并且根據需要做到可止可行。
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