[其他]沉積膜形成方法

無效

• 申請號: 86108874
• 申請日: 1986-12-25
• 公開（公告）號: CN86108874A
• 公開（公告）日: 1987-09-09
• 發明（設計）人: 齊藤惠志;廣岡政昭;半那純一;清水勇
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/24;C23C16/44
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 吳大建,全菁

1、沉積膜形成方法，其中通過各自獨立地向反應區通入形成沉積膜的氣態原料和對所述原料有氧化作用的氣態囟素氧化劑以便按化學反應形成沉積膜，該方法包括，在活化區預先活化可形成能帶寬控制劑的氣態物質(B)以形成活化體，然后將所述的活化體通入反應區以便在處于成膜區的基體上形成可控制能帶寬的沉積膜。

2、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中成膜伴隋著發光現象。

3、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態原料為鏈狀硅烷化合物。

4、根據權利要求3所述的沉積膜形成方法，其中所述的鏈狀硅烷化合物直流硅烷化合物。

5、根據權利要求4所述的沉積膜形成方法，其中所述的直鏈硅烷化合物由通式SinH_2n+2（n為1～8的整數）所表示。

6、根據權利要求3所述的沉積膜形成方法，其中所述的鏈狀硅烷化合物為有支鏈的硅烷化合物。

7、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述的氣態原料為具有硅狀硅結構的硅烷化合物。

8、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中氣態囟素氧化劑含有囟素氣體。

9、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態囟素氧化劑含有氟氣。

10、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態囟素氧化劑含有氯氣。

11、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態囟素氧化含有作為組分的氟原子。

12、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態囟素氧化劑含有初生態囟素。

13、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述的基體安置在所述氣態原料和所述氣態囟素氧化劑進入所述反應區的方向的相對的位置上。

14、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述的氣態原料和所述的氫鹽囟素氧化劑是通過多管結構輸送管進入反應區的。

15、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態物質（B）含有擴大能帶寬的元素。

16、根據權利要求15所述的沉積膜形成方法，其中所述擴大能帶寬的元素有碳、氮或氧原子。

17、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述氣態物質（B）含有縮小能帶寬的元素。

18、根據權利要求15所述的沉積膜形成方法，其中所述縮小能帶寬的元素是鍺或錫原子。

19、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中所述能帶寬控制劑在用H₂、He、Ne、Ar、Kr、Xe和Rn中的至少一種氣體稀釋時引入活化室。

20、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中在所述活化區通過放電、光作用或熱能作用來作為活化方法。

21、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中將可形成價電子控制劑的氣態物質（D）引入反應區。

22、根據權利要求1所述的沉積膜形成方法，其中可形成價電子控制劑的所述氣態物質（D）在預先活化后引入。

23、根據權利要求21所述的沉積膜形成方法，其中價電子控制劑是一種n型或p型半導體雜質。

24、根據權利要求21所述的沉積膜形成方法，其中價電子控制劑是元素周期表中ⅢA族的元素。

25、根據權利要求21所述的沉積膜形成方法，其中價電子控制劑是元素周期表中ⅤA族的元素。