[其他]磁性傳感的方法及裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86108777 | 申請日: | 1986-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN86108777A | 公開(公告)日: | 1987-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 貝弗利·R·古奇;羅杰·W·伍德;雷克斯·尼德邁耶 | 申請(專利權(quán))人: | 安佩克斯公司 |
| 主分類號: | G11B5/187 | 分類號: | G11B5/187 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖掬昌 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁性 傳感 方法 裝置 | ||
1、在第一個磁性材料體及具有磁路的第二個磁性材料體之間耦合確定信息的磁通的裝置,其特征在于:具有一個設(shè)有傳感區(qū)域的第三個磁性材料體,它在磁性上貼近地設(shè)置入或放置在所述第一個磁性材料上,用于向或從該磁性材料體耦合磁通,并且它有一部分在磁性上貼近地放置在所述第二個磁性材料中所述磁路上,以產(chǎn)生向著或來自該磁路的磁通的耦合。
2、權(quán)利要求1中的裝置,其中所述第三個材料體在磁性上貼近地放置在磁性材料中的一個機(jī)械縫隙處,該縫隙產(chǎn)生從所述材料上發(fā)送出的磁通并在所述第三個材料體中形成所述傳感區(qū)域。
3、權(quán)利要求1及2中任一個權(quán)利要求的裝置,其中所述第三材料體包含了磁導(dǎo)率明顯不同的相鄰區(qū)域,用來構(gòu)成所述的傳感區(qū)域。
4、權(quán)利要求3的裝置,其中所述相鄰區(qū)域中的一個是磁飽和的,而另一個是不飽和區(qū)域。
5、權(quán)利要求3的裝置,其中所述磁導(dǎo)率明顯不同的相鄰區(qū)域在兩者之間具有一個陡的磁導(dǎo)率梯度。
6、權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求的裝置,其特征在于:設(shè)置了偏磁控制裝置用于在所述第三個材料體中產(chǎn)生磁通以提供所述傳感區(qū)域。
7、權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求的裝置,其中所述第一個及第二個磁性材料體同時地在磁性上貼近所述的第三個磁性材料體,并且在這時所述的第一及第二材料體之間具有相對的運(yùn)動,另外的特征為:在所述運(yùn)動期間所述第三個材料體定位在所述第一及第二材料體之間。
8、權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求的裝置,其特征為:設(shè)置了改變在所述第三個材料體中的所述傳感區(qū)域位置的裝置。
9、權(quán)利要求8的裝置,其特征在于:所述改變在所述第三個材料體中的所述傳感區(qū)域位置的裝置沿著在該材料體中確定的路經(jīng)周期性地掃描所述傳感區(qū)域的位置。
10、權(quán)利要求1至9中任一權(quán)利要求的裝置,其特征在于:在所述第一及第三個材料體之間耦合磁通時,所述第三個材料體至少與所述第一及第二材料體中的一個相接觸。
11、權(quán)利要求4的裝置,其中所述的未飽和區(qū)域通常是沒有磁通的。
12、傳遞由兩個磁性材料體之間的磁通確定的信息的方法,其特征為其有下列步驟:
在所述的用于向或從另一個所述材料體耦合磁通的所述一個材料體中形成一個傳感區(qū)域,所述的傳感區(qū)域形成在所述一個材料體的一個位置上,該所述材料體中沒有機(jī)械縫隙;及
將所述具有所述傳感區(qū)域的一個材料體放置在所述另一個材料磁性上與其貼近的位置上,這時所述的兩個材料體之間的磁通有理想的耦合。
13、權(quán)利要求12中的方法,其中所述另一磁性材料體是一個比所述的一個磁性材料體具有更高矯頑磁力的磁性存儲介質(zhì)。
14、權(quán)利要求12中的方法,其中所述的另一個磁性材料體是一個傳感器的磁芯,該磁芯具有的磁導(dǎo)率一般地等于或大于所述一個磁性材料的磁導(dǎo)率。
15、權(quán)利要求12至14中任一個權(quán)利要求的方法,其特征在于:在所述一個材料體中形成一個傳導(dǎo)區(qū)域的所述步驟中,包括在所述一個材料體中提供具有明顯區(qū)別的磁導(dǎo)率的區(qū)域。
16、權(quán)利要求15中的方法,其特征在于:在所述一個材料體中形成傳導(dǎo)區(qū)域的所述步驟中,包括在一個區(qū)域中產(chǎn)生磁飽和而至少一個與其相鄰的區(qū)域是不飽和的。
17、權(quán)利要求15中的方法,其特征在于:所述磁導(dǎo)率明顯不同的相鄰區(qū)域在其中間具有一個陡的磁導(dǎo)率梯度。
18、權(quán)利要求12至17中的任一權(quán)利要求的方法,其特征在于:包括沿著所述一個材料體中確定的路徑改變所述傳感區(qū)域位置的步驟。
19、權(quán)利要求11至18中的方法,其特征在于:在定位時,所述一個材料體在位置上磁性地貼近第三個磁性材料體,以取得在所述一個材料體及所述第三個材料體之間理想的磁通耦合。
20、一個磁性傳感器包括:具有在其中確定一個機(jī)械縫隙的兩個磁極的一個磁芯;一個短接所述機(jī)械縫隙與所述磁芯相鄰定位的磁性材料體;及偏磁控制裝置,它提供控制磁通使短接所述機(jī)械縫隙的所述材料體的一個區(qū)域飽和,而在與所述縫隙相鄰的該所述材料體上保留了一個不飽和的高導(dǎo)磁的區(qū)域,于是在所述材料體中形成了一個傳感區(qū)域。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于安佩克斯公司,未經(jīng)安佩克斯公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/86108777/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:影象的錄制與放映
- 下一篇:煙氣凈化,特別是煙氣脫硫方法





