[其他]模擬存儲電壓控制的可變電阻

無效

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• 申請日: 1986-12-29
• 公開（公告）號: CN1003264B
• 公開（公告）日: 1989-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 王博
• 申請（專利權）人: 王博
• 主分類號: H01C13/00
• 分類號: H01C13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明是一種用于信號控制的壓控可變電阻。

在本發(fā)明以前，各種電子音響設備上的音量和音調(diào)控制，大都采用碳膜電阻片式的電位器，此種電位器結構上都采用了觸頭在電阻片上滑動的方式來改變分壓比。由于存在機械摩擦，不可避免地會在調(diào)控過程中產(chǎn)生接觸噪音，而且時間稍長，電極觸頭對碳膜的磨損會達到嚴重接觸不良的程度。在音響設備中，它是最易出故障的元件之一。另外，在觸頭滑至一端時，經(jīng)常有控制死點，出現(xiàn)最小音量不為零或陡然為零的現(xiàn)象。對于用在立體聲音量控制中的雙連電位器，則易在小音量時出現(xiàn)不平衡現(xiàn)象。目前在較高檔次的電子設備及彩色電視機、收錄機上有一類由數(shù)字電路構成的音量控制裝置，雖然避免了接觸噪音，但線路復雜，成本較高，且往往只能跳躍式地控制，分級的感覺較強。

本發(fā)明的目的在于避免上述現(xiàn)有技術中的不足之處而提供一種不存在機械摩擦，不產(chǎn)生噪音，可無級調(diào)變阻值，結構簡單，成本低的音量控制可變電阻。

本發(fā)明采用了模擬存儲技術，其特征在于由一個包括電源E、電容C及充放電支路的電路并接在金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）的柵極（G）和源極（S）之間，以使MOSFET的漏（D）-源電阻r_DS在一段時間內(nèi)在某一值上保持相對恒定，從而對音頻信號的旁路或衰減程度能夠隨意選定并保持。

本發(fā)明的解決方案，可以由附圖加以說明。

圖1是本發(fā)明模擬存儲電壓控制可變電阻的基本電原理圖。由一個包括電源E、電容C及充放電支路的電路（此處稱之為電路10）并接在MOSFET的柵極G和源極S之間。

圖2是電路10的E-C串聯(lián)式接法，與MOSFET連接構成的本發(fā)明電路圖。電阻R₁與開關K₁串接構成放電支路，電阻R₂與開關K₂串接構成充電支路。放電支路和電容器C并聯(lián)后與電池E串聯(lián)，再和充電支路并聯(lián)構成電路10。

圖3是電路10的E-C并聯(lián)式接法，與MOSFET連接構成的本發(fā)明電路圖。電阻R₁與開關K₁及電池E串接構成充電支路，電阻R₂與開關K₂串接構成放電支路，充電支路和放電支路和電容器C三者并聯(lián)構成電路10。

圖4和圖5分別為圖2和圖3電路采用感壓按鍵后的電路圖，AN₁和AN₂是感壓按鍵。

圖6為由一個電路10同時控制4個MOSFET的V_DS的本發(fā)明電路圖。

圖7為在本發(fā)明中用以取代電池E的穩(wěn)壓二極管電路圖。

圖8為在本發(fā)明中用以取代電池E的發(fā)光二極管電路圖。

圖9為采用本發(fā)明的立體聲擴音機電原理圖。

圖1中電路10實際上提供給MOSFET一個控制電壓V_DS，它的選定由電容C兩端儲存的電壓決定。由于MOSFET的輸入阻抗極高，所以選定的V_DS可以長期保持。r_DS隨V_DS變化。V_DS的選擇，可使r_DS從10^-1歐姆數(shù)量級變至10′歐姆以上。

電路10可以有兩種基本方式，其一為E-C串聯(lián)式，如圖2，電池E和電容C串聯(lián)在MOSFET的G和S之間，C兩端的電壓為V_CE和V_C相加形成V_DS。R₂、K₂為充電支路，它充電的方向與E的方向相反，當V_C充電趨于E時，V_DS趨于零，r_DS趨于無窮大;R₁、K₁構成放電支路，當V_C放電趨于零時，V_DS趨于E，r_DS趨于零。R₁和R₂分別控制放電和充電的速率。