[其他]液晶裝置和其特造方法

無效

• 申請號: 86107793
• 申請日: 1986-11-10
• 公開（公告）號: CN86107793A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發明（設計）人: 山崎舜平;小沼利光;浜谷敏次;間瀨晃;山口利治;坂間光范;犬島喬
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: G09F9/35
• 分類號: G09F9/35
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 楊鋼

1、一種液晶裝置包括：

一個氣密室，至少有一面是由透明體制成；

一定數量的液晶封閉在上述空間，且有一阻隔片，不受上述氣密室面上的離子漂移影響。

2、按權利要求1所述的裝置，其中所述結構是由一副玻璃基質組成。

3、按權利要求2所述的裝置，其中所述的阻隔片是由上述的玻璃基質形成。

4、按權利要求1所述的裝置，其中所述的基質是由透明體制成的。

5、按權利要求4所述的裝置，其中進一步包括一個透明的電極，該電極在所述透明基質的內部上，所述阻隔片覆蓋透明電極。

6、按權利要求4所述的裝置，其中所述的阻隔片是由氮化物制成的。

7、按權利要求6所述的裝置，其中所述的氮化物是氮化硅物、氮化鋁物、氮化硼、氮化鎂物、氮化錫物、氮化銻物或氮化銦物。

8、按權利要求1所述的裝置，其中所述的液晶是一種近晶態的液晶。

9、一種液晶裝置的制造方法包括：

一種用不受離子漂移影響的，一個阻隔層覆蓋裝置的一個氣密空間的內壁步驟，

一種用一定量的液晶在高溫下充填空間步驟，在該溫度下，所述的液晶便處于低粘度。

10、按權利要求9所述的方法，其中所述的充填步驟是先對上述空間的內部準備一個入口，隨后把所述入口在真空情況下浸入一定數量的所述液晶，在所述的高溫情況下，降低所述液晶的粘度并增加環境壓力，使所述液晶，憑借所述環境和所述空間之間的壓差，被注入所述的空間。

11、一種液晶裝置的制造方法包括：

制備一副基質的步驟;

把一定量的液晶置于所述基質中的一個的步驟;

把所述的基質在高溫中與相應所述的基質相配置的步驟。

12、按權利要求11所述的方法，其中所述的液晶在室溫中是近晶態C和在所述的高溫中是近晶態A。