[其他]用于固體電解質裝置的復合電極

無效

• 申請號: 86107516
• 申請日: 1986-10-29
• 公開（公告）號: CN86107516A
• 公開（公告）日: 1987-07-15
• 發明（設計）人: 蘇克溫德·帕爾·辛格·巴德瓦爾
• 申請（專利權）人: 聯邦科學工業研究組織
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;H01M4/86
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 段成思,徐汝巽

1、一種用于固體電解質裝置的復合電極材料，該電極材料包括貴金屬和具有電子(n-型)或空穴(p-型)電導性的半導體金屬氧化物的混合物。

2、一種如權利要求1所述的電極材料，其特征在于其中的貴金屬是鉑、銀、金、鈀銥或銠或任一種兩種或兩種以上這些金屬的合金。

3、一種如權利要求1或2中所述的電極材料，其特征在于其中的氧化物選自一種或多種具有原子序數為21～30、39～48和72～80中的過渡金屬;具有原子序數為57～71的鑭系元素和具有原子序數為89～96的錒系元素的半導體氧化物。

4、一種如權利要求1～3中的任一權利要求所述的電極材料，其特征在于氧化物組分為一種或一種以上簡單二元金屬氧化物之間的混合物或固溶體。

5、一種如權利要求1～3中的任一權利要求所述的電極材料，其特征在于上述復合電極的氧化物組分為一種或一種以上簡單金屬氧化物、化合物或固溶體的混合物。

6、一種如權利要求1～5中所述的電極材料，其特征在于上述復合電極的氧化物組分中還含有一種或多種絕緣體、離子導體或其它半導體相。

7、一種如權利要求1～6所述的電極材料，其特征在于上述復合電極的氧化物組分中還含有一種或多種絕緣體、離子導體或其它半導體相。

8、一種固體電解質裝置，其特征在于它包括權利要求1～7中的任一權利要求所述的固體電極材料。

9、一種如權利要求8所述的裝置，其特征在于復合電極材料是以固體電解質體上的表面層形式提供的。

10、一種如權利要求9所述的裝置，其特征在于上述的表面層是由貴金屬和半導體氧化物的混合物的多孔薄涂層構成。

11、一種如權利要求9所述的裝置，其特征在于表面層包括固體電解質表面上的一薄區域，該區域延伸到其表面下，所述的區域為富集上述復合電極材料。

12、一種制造如權利要求8所述的固體電解質裝置的方法，其特征在于在固體電解質體上方施用或形成一包括復合電極材料的表層。

13、如權利要求12所述的裝置，其特征在于向固體電解質體上施用一層混合物，該混合物包括：

（a）半導體金屬氧化物或使上述氧化物加熱的物質或混合物;和

（b）貴金屬和使該貴金屬加熱的化合物;

然加熱所得涂層形成復合電極材料。

14、一種如權利要求12所述的方法，其特征在于上述的復合電極材料是在施用到電解質表面之前預制的。

15、一種如權利要求8所述的固體電解質裝置的制造方法，其特征在于在絕緣體、電解質或絕緣體和電解質和/或半導體的混合物的多孔基體上施用或形成上述復合電極材料層，然后分別向所形成的涂層上施用或形成電解質層和第二復合電極層。