[其他]可逆的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 86107003
• 申請(qǐng)日: 1986-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN86107003A
• 公開（公告）日: 1987-08-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山田升;木村邦夫;高尾正敏;佐內(nèi)進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B7/24
• 分類號(hào): G11B7/24
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部
• 代理人: 孫令華

本發(fā)明是關(guān)于用激光束對(duì)情報(bào)進(jìn)行記錄、重放、抹除、重寫功能的相變化型可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。

眾所周知以Te（端）為基質(zhì)的某種合金薄膜，在激光光束的照射下，比較容易產(chǎn)生可逆相變態(tài)。特別是對(duì)于Te成分含量多時(shí)，用能量比較低的激光源照射就可以產(chǎn)生非結(jié)晶化現(xiàn)象，根據(jù)這種現(xiàn)象就將其應(yīng)用到記錄介質(zhì)上。

例如S·R·Ovsinsky等，在美國專利U·S·P3，530，441中首先披露了對(duì)Te₈₅Ge₁₅，Te₈₁Ge₁₅S₂Sb₂等薄膜使用激光束等高密度能量光線照射，會(huì)產(chǎn)生可逆的相變態(tài)。另外，A·W Smith明確指出了以Te₉₂Ge₂As₅為代表構(gòu)成的薄膜能進(jìn)行10⁴次記錄（非結(jié)晶化）及抹除（結(jié)晶化）。（Applied Physic′s Letters 18（1971）P25A）。進(jìn)一步，由M·Chen等公布的以Te₈₇Ge₈Sn₅為代表的薄膜如果作靜態(tài)試驗(yàn)，可以重復(fù)10⁶次以上。（Applied Physic′s Letters 46（1985）P734）。

一般來說，在利用非結(jié)晶-結(jié)晶之間的相變化的記錄介質(zhì)，重視記錄速度，從結(jié)晶向非結(jié)晶化的變化過程作為記錄，上述各種組成都是利用Te和添加物的共晶附近的組成，熔點(diǎn)都低于400℃，所以容易形成非結(jié)晶。另外，抹除是利用從非結(jié)晶向結(jié)晶化的變化過程。在上述各種組成中，其內(nèi)部存在的許多自由Te鏈妨礙結(jié)晶化的進(jìn)行。即在固化后其內(nèi)部也殘存無規(guī)則的鏈。為使其定向一致，也就是為得到完全的結(jié)晶狀態(tài)，有必要充分保持長時(shí)間的高溫（Tg附近）。亦即，若存在著富Te的成分，則在原理上存在不能提高抹除速度的問題。

自由Te原子的存在，使得長期熱穩(wěn)定性，特別是反復(fù)記錄/抹除后的熱穩(wěn)定性降低，同時(shí)也成為限制反復(fù)次數(shù)的原因。總之，在存儲(chǔ)（as????depo）狀態(tài)的薄膜中可以認(rèn)為Te原子是均一分散在膜內(nèi)的。而在記錄/抹除反復(fù)期間，則分成為富Te的部分（較低融點(diǎn)的）及Te與添加物質(zhì)之間的穩(wěn)定化合物多的部分（較高融點(diǎn)的）。總之，分離產(chǎn)生記錄特性變化。這種情況下，Te極高的組成使結(jié)晶化溫度降低。非結(jié)晶極不穩(wěn)定，結(jié)果使其熱穩(wěn)定性降低。可以認(rèn)為這種現(xiàn)象主要是由于共晶附近的組成不存在穩(wěn)定的化合物，內(nèi)能向穩(wěn)定狀態(tài)遷移，而產(chǎn)生的結(jié)果。由于結(jié)晶化產(chǎn)生的Te和添加物之間的化合物的特性，主要是其融點(diǎn)與Te極為不同的情況下晶相分離（phase????Segrogation）更迅速地進(jìn)行，分離后的晶相（phase）再返回均一狀態(tài)是困難的。其結(jié)果，無論記錄還是抹除都不能進(jìn)行。作為解決這個(gè)問題的手段，提高激光功率，以使其長時(shí)間保持在兩者融點(diǎn)以上的溫度，在充分混合均勻后，再速冷（queuch）是必要的;Te的過剩使提高記錄靈敏度失去意義。而且實(shí)際上在動(dòng)態(tài)系統(tǒng)上是不可能的。也就是只要Te過剩，就不能充分滿足讀寫速度、熱穩(wěn)定性及反復(fù)特性的要求。

本發(fā)明的目的是提供一種不降低記錄靈敏度而使抹除速度提高的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種記錄/抹除反復(fù)壽命長的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供一種反復(fù)記錄操作后，熱穩(wěn)定性無變化的，高可靠性的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。

附圖說明

圖1為表示本發(fā)明的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)實(shí)施例構(gòu)成的斷面圖。圖2為表示適用于本發(fā)明的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)記錄膜的主要組成及組成的允許量的組成圖。圖3為具有主要組成的記錄膜的相變溫度圖。圖4為表示具有相同主要組成的記錄膜非結(jié)晶靈敏度的圖表。圖5為表示具有相同主要組成的記錄膜結(jié)晶化速度的圖表。圖6表示在主要組成中添加Se時(shí)的非結(jié)晶化靈敏度及結(jié)晶化速度的變化圖表。

本發(fā)明的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)是由如圖1a～c所示在PMMA、聚碳酸脂等樹脂、鋁、銅等金屬、玻璃等表面平滑的基片1上形成的SiO₂，Al₂O₃，ZnS 2、3把記錄層4夾心而構(gòu)成。盡管電介質(zhì)對(duì)本發(fā)明來說并非必要，但對(duì)減少因激光反復(fù)照射而引起的樹脂材料的熱損傷或記錄層本身的變形、蒸發(fā)是有效的;而且使貼上保護(hù)板成為可能。