[其他]半導體集成電路/系統無效
| 申請號: | 86106824 | 申請日: | 1986-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN86106824A | 公開(公告)日: | 1987-06-03 |
| 發明(設計)人: | 肯尼斯·奧斯汀 | 申請(專利權)人: | 皮爾金頓微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/00 | 分類號: | H01L27/00;H01L21/70 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
| 地址: | 英國英格蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 集成電路 系統 | ||
1、一種可組態半導體集成電路的成品,包括一個分別在分離位置(10S)上,形成兩種具有多個邏輯電路(10)的區域(300),和一個在邏輯電路輸入和輸出之間的限制信號轉換系統(14),它提供在其導通狀態時的每個可選擇的直接連接通路(14A、B、C、F),這些擴展的通路,對每個所述的邏輯電路(10R)來說,其輸出傳送到另外的所述邏輯電路的第一組(FS)的輸入,而其輸入又來自另外的所述邏輯電路的第二組(SS)的輸出,所有的組(對于所有的邏輯電路)中的每一個都是獨立的。
2、如權利要求1所述的集成電路,其中,分離位置(10S)在區域(300)上分布,且為在位置(10S)之間,跨越區域(300)的直接通路(14A、B、C、F)留有空間。
3、如權利要求1所述的集成電路,其中分離位置(10S)按照表示在該區域內的密度基本均勻的位置的圖形,分布在所述的區域(300)上,且在位置(10S)之間跨越著直接連接通路(14A、B、C、F)。
4、如上述的任何權利要求所述的集成電路,其中,對于每個所述的邏輯電路(10R),第一組和第二組(FS和SS)至少包括一個所述的共同的邏輯電路(FS+SS)。
5、如上述的任一權利要求所述的集成電路,其中,對于每個所述的邏輯電路(10R),第一組和第二組中至少包含一個所述的非共同的邏輯電路(僅僅FS或SS)。
6、如上述的任一權利要求所述的集成電路,其中,為了用于多個邏輯電路(10),一些邏輯電路的某些輸入(14)和輸出(12)具有可選擇的,擴展到輸入/輸出裝置(310)的連接通路,對所述的邏輯電路(10R)的至少剩余的每一組,至少包括三個另外的所述的邏輯電路。
7、如權利要求6所述的集成電路,其中,該組(FS或SS)的每一個包括低于所述多個邏輯電路的總數量的5%的邏輯電路。
8、如權利要求6或7所述的集成電路,其中,至少對所述的邏輯電路(10R)剩余的每一個而言,第一組和第二組包括兩個所述的共同的邏輯電路(FS+SS)。
9、如權利要求6、7或8所述的集成電路,其中至少對所述的邏輯電路的一些剩余而言,第一組和第二組(FS,SS)的每一個包括非共同的兩個門(FS或SS)。
10、如權利要求5或9所述的集成電路,其中,考慮所述的邏輯電路按行和列排列,所述的非共同的邏輯電路(FS或SS)是按照所涉及的邏輯電路的情況,處于相同的行里,在同一行里緊鄰著的每一個邏輯電路處于不同的第一和第二組里。
11、如權利要求10所述的集成電路,其中,所述的另外的非共同的邏輯電路包括在同一行里(14F)所述的第三個邏輯電路。
12、如權利要求4所述的集成電路,其中,考慮所述的邏輯電路按行和列排列,每一個所述的共同的邏輯電路(FS+SS)是在同一列所涉及的第三個邏輯電路。
13、如權利要求12所述的集成電路,其中,至少在列中緊鄰的一些所述的邏輯電路是在其所述的位置上,對其輸出存取的意義而言,是反向地構成(圖1、2圖7)。
14、如權利要求13所述的集成電路,其中,反向構成的邏輯電路在每一列中交替地排列,而在每一行中全部是相同形式構成的邏輯電路(圖1,2,圖7)。
15、如上述的任一權利要求所述的集成電路,其中,到邏輯電路的另外的輸入連接通路(52R??14D、E),按與所述直接通路類似的方法,每一通路都是可選擇的。
16、如上述的任一權利要求所述的集成電路,其中,到邏輯電路的另外的輸出連接通路(52G、H),按與所述的直接連接通路(14A、B、C、F)類似的方法,每條通路都是可選擇的。
17、如權利要求16所述的集成電路,其中,所述的另外的輸出連接通路(52G、H),自首次提及的邏輯電路的輸出(12)分路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





