[其他]整個半導體層無電氣缺陷的半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 86106409
• 申請日: 1986-11-06
• 公開（公告）號: CN86106409A
• 公開（公告）日: 1987-05-20
• 發明（設計）人: 山崎舜平;鈴木邦夫;金花美樹雄;深田武;阿部雅芳;小林一平;柴田克彥;薄田真一;永山進;小柳薰
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/10;H01L31/18;H01L33/00;H01L25/02
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 肖春京

1、一種半導體器件，其特征在于，這種半導體器件包括：

一層半導體層；

該半導體層的電極，所說的電極是透明的；和

一個防止半導體層中出現的縫隙形成短路路徑的絕緣體。

2、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的縫隙是一個針孔。

3、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的絕緣體是一種有機樹脂。

4、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的透明電極由ITO、In₂O₃、SnO₂或ITN制成。

5、權利要求4的半導體器件，其特征在于，所說的透明電極敷有一層金屬層。

6、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的金屬層由鋁、鉻或銀制成。

7、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的器件是一種光電器件。

8、權利要求1的半導體器件，其特征在于，所說的器件是一種光發射器件。

9、權利要求8的半導體器件，其特征在于，所說的器件具有超點陣結構。

10、一種加工半導體器件的方法，其特征在于，該方法包括：

制備半導體層的工序

用可進行光固化處理的樹脂堵塞半導體層上縫隙的工序;

用垂直于半導體層的光照射半導體層的工序;

除去所說的在所說的縫隙外面的樹脂但使該縫隙中的殘留樹脂保持原狀的工序;和

在半導體層上制備電極的工序。

11、權利要求10的方法，其特征在于，該方法還包括往半導體層上加反向電壓的工序。

12、權利要求10的方法，其特征在于，所說的施加反向電壓的工序是在高溫下進行的。

13、權利要求11的方法，其特征在于，所說的反向電壓小于半導體層的擊穿電壓。

14、權利要求12的方法，其特征在于，所說的溫度選用不致使半導體層特性退化的不太高的溫度。

15、權利要求13的方法，其特征在于，所說的半導體器件包括多個彼此串聯聯接的電池。

16、權利要求14的方法，其特征在于，所說的施加反向電壓的工序采用一個電壓源和多個彼此串聯聯接的齊納二極管進行，加到各電池的反向電壓分別引自二極管。

17、一種固化處理半導體器件上半導體缺陷的方法，該半導體器件具有多個半導體元件，各半導體元件中有半導體結，該方法的特征包括：

制備彼此串聯聯接的多個齊納二極管的工序;

使其中一個所說齊納二極管的陽極與各所說半導體元件接觸的工序;

往多個齊納二極管上施加反向偏壓的工序，齊納電壓和該反偏壓選用使對應于各半導體元件的齊納二極管的齊納電壓低于相應半導體元件的擊穿電壓的電壓值。

18、權利要求17的方法，其特征在于，所說半導體器件是一種太陽能電池。

19、權利要求18的方法，其特征在于，所說的半導體元件包括一層半導體層和一層敷在該半導體層的透明氧化物電極。

20、為一種具有多個半導體元件（各半導體元件中有半導體結）的半導體器件用的半導體缺陷固化處理裝置，該裝置的特征包括：

多個彼此串聯聯接的齊納二極管;

多個適宜使一個所說的齊納二極管的陽極與各所說的半導體元件接觸用的觸點;

一個給多個齊納二極管供應反偏壓用的電壓源，齊納電壓和反偏壓這樣選擇，使對應于各半導體元件的齊納二極管的齊納電壓低于對應半導體元件的擊穿電壓。