[其他]雙注入場效應晶體管

無效

• 申請號: 86105609
• 申請日: 1986-07-26
• 公開（公告）號: CN86105609A
• 公開（公告）日: 1987-04-29
• 發明（設計）人: 伍洛迪米爾·克蘇巴蒂;邁克爾·G·哈克;邁克爾·舒爾
• 申請（專利權）人: 能量轉換裝置公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L33/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利代理部
• 代理人: 鄧明

1、一種固態電子器件它包括響應外加電壓，將雙極性載流子注到器件的半導體材料主體中的電流通路的裝置，其特征在于：

具有大體沿上述電流通路的長度方向施加電場，用以增加上述電流通路中的雙極性電流的電場裝置，上述施加的電場與由上述所加電壓感應出來的電場不同。

2、如權利要求1所述的電子器件，其中，上述半導體材料或者是基本上本征的或者是摻雜的。

3、如權利要求1所述的電子器件，其中，上述半導體材料選自一組包括單晶半導體材料，基本上為多晶的半導體材料，基本上為微晶的半導體材料，以及基本上為非晶的半導體材料在內的半導體材料。

4、如權利要求1所述的電子器件，其中，上述半導體材料為非晶硅合金。

5、如權利要求1所述的電子器件，其中，電場裝置至少包括一個適于接受所加控制電壓的控制電極，上述控制電極大體沿上述電流通路的長度方向延伸并緊靠著上述電流通路。

6、如權利要求1所述的電子器件，其進一步的特征在于：上述電場裝置包含有用于將上述控制電極和上述電流通路間的漏電流減至最小的勢壘裝置。

7、如權利要求6所述的電子器件，其中，上述勢壘裝置選自一組包括絕緣材料，肖特基勢壘，以及反向偏置的半導體-半導體結在內的電子勢壘。

8、如權利要求1所述的電子器件，其中，當施加上述電場并加上上述電壓時，上述電場裝置通過至少在上述電流通路的一個部分引起兩種極性的載流子密度的增加而改變上述電流通路的有效電導率。

9、如權利要求8所述的電子器件，其中，上述半導體主體具有大量的缺陷態，而且上述增加了的載流子密度填滿了電流通路中上述缺陷態中相當大的部分。

10、如權利要求1所述的電子器件，其中，電流通路中由第一種極性的載流子引起的空間電荷至少中和掉一部分由第二種相反極性的載流子引起的空間電荷。

11、如權利要求10所述的電子器件，其中，上述電流通路的深度實質上由于上述中和作用而得到了增加。

12、如權利要求10所述的電子器件，其進一步的特征在于：具有優化空間電荷中和作用的裝置。

13、如權利要求1所述的電子器件，其進一步的特征在于：上述雙極性載流子注入的裝置包括第一和第二電極，各個上述電極包含有一個重摻雜半導體材料區域，用于將一種極性的載流子有效地注入到上述半導體材料的主體內。

14、如權利要求13所述的電子器件，其中，上述第一電極的上述區域是重摻雜的n型半導體材料，而上述第二電極的上述區域是重摻雜P型半導體材料。

15、如權利要求1所述的電子器件，其中，半導體材料的上述主體有第一和第二區域，上述電流通路大體上只在上述第一區域內，而其進一步的特征在于，上述第二區域具有比上述第一區域多得多的缺陷態，以在上述電子器件截止時，促進載流子的復合。

16、如權利要求1所述的電子器件，其進一步的特征在于：上述器件為縱向排列，而且包括第一電極和第二電極，所述第一電極與上述第二電極垂直隔開放置，而至少有一部分包含上述電流通路的半導體主體被置于其中，從而上述電流通路至少有相當大一部分是非水平的。

17、如權利要求16所述的電子器件，其進一步的特征在于：上述電場裝置至少有一部分被局部地夾在上述半導體主體的上述部分中間。

18、如權利要求1所述的電子器件，其中，上述器件為橫向排列，并包括一個與第二電極水平隔開一段距離水平放置的第一電極，同時，至少有一部分包含上述電流通路的半導體主體置于其間，由此，至少相當一部分上述電流通路大體上是水平的。

19、如權利要求1所述的電子器件，其進一步的特征在于：

具有用于從上述電流通路中獲得一種極性的載流子的裝置。

20、如權利要求1所述的電子器件，其進一步的特征在于：

具有用于沿上述電流通路的一部分施加第二個電場，以便減小上述電流通路中的雙極性電流的第二電場裝置，上述第二個電場與由上述所加電壓感應出的電場不同。