[其他]具有能在集成電路中集成的霍耳元件的裝置無效
| 申請號: | 86103454 | 申請日: | 1986-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN86103454A | 公開(公告)日: | 1986-11-19 |
| 發明(設計)人: | 波波維克·拉迪沃耶 | 申請(專利權)人: | 蘭迪斯·吉爾楚格股份公司 |
| 主分類號: | H01L27/22 | 分類號: | H01L27/22;H01L29/82;H01L29/96 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 瑞士楚格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 集成電路 集成 元件 裝置 | ||
1、具有一個可在一個集成電路中集成的霍爾元件的裝置,該霍爾元件具有2個傳感器引線接觸頭和至少2個電流引線接觸頭。這些引線接觸頭排列在霍爾元件的表面,其特征在于:至少在霍爾元件(22)的有源區(7)和霍爾元件(22)的表面之間配置著一個阻擋層(11或者12、7),該阻擋層從上面覆蓋著霍爾元件(22)的有源區(7)。
2、按照權利要求1的裝置,其特征是:霍爾元件(22)的輸出端(S1)通過一個調節電路(24、25、26、27)和霍爾元件(22)控制阻擋層(11或者12、7)厚度的控制輸入端(M)相連接。
3、按照權利要求2的裝置,其特征是:調節電路(24、25、26、27)至少由一個實際值整形器(24),一個額定值發生器(25)和一個額定值/實測值-微分器(26、27)組成。
4、按照權利要求3的裝置,其特征在于:實際值整形器(24)是一個絕對值形成器。
5、按照權利要求4的裝置,其特征是:實際值整形器(24)至少由一個被控制裝置(28)控制的轉換開關(29)和一個反相放大器(30)組成。
6、按照權利要求5的裝置,其特征是:控制裝置(28)由一個比較器組成。
7、按照權利要求4的裝置,其特征是:實際值整形器(24)由一個整流器組成。
8、按照權利要求3至7中之一的裝置,其特征是:額定值發生器(25)是由一個前置電阻(R′)和一個場效應晶體管(32)的源-漏區構成的串聯電路組成。
9、按照權利要求3至8中之一的裝置,其特征是:額定值/實際值-微分器(26、27)至少由一個差分放大器(26)組成。
10、按照權利要求9的裝置,其特征是:差分放大器(26)是作為反相放大器而布置的,并且和它串聯了另一個反相放大器(27)。
11、按照權利要求9或者10的裝置,其特征是:差分放大器(26)具有兩個實際值輸入端(E1、E4),其中第一個(E1)與實際值整形器(24)的輸出端相連接,而另一個(E4)與實際值整形器(24)的輸入端相連接。
12、按照權利要求1至11中之一的裝置,其特征是:阻擋層(11)是由一個耗盡區形成的,該耗盡區是借助一個電壓,通過靜電感應產生的,該電壓是通過控制門連接頭(G)施加到導電的控制層(10)上的,其特征是:控制層(10)通過在霍爾元件(22)表面上的一層氧化層(9)而被隔離了,這樣,控制層(10)以及耗盡層從上面覆蓋著霍爾元件(22)的有源區(7);以及環(8)至少在側面圍繞著霍爾元件(22)的有源區(7),并且環(8)是與霍爾元件(22)的有源區(7)有著相反導電類型的材料,環(8)的連接頭(R)形成了霍爾元件(22)的一個控制輸入端(M)。
13、按照權利要求1至11中之一的權利要求的裝置,其特征是是:阻擋層(12、7)是由在霍爾元件(22)的有源區(7)與在霍爾元件(22)表面上的薄層(12)之間的交界層形成的。該薄層(12)是具有導電類型P的材料,它和霍爾元件(22)有源區(7)的正好相反,并且它從上面看覆蓋著有源區(7);以及薄層(12)具有對環的連接頭(R)的電接觸,而環連接頭(R)形成霍爾元件(22)的一個控制輸入端(M)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





