[發明專利]利用氟化氣體混合物進行硅的等離子體蝕刻

無效

• 申請號: 86103233.0
• 申請日: 1986-05-09
• 公開（公告）號: CN1005882B
• 公開（公告）日: 1989-11-22
• 發明（設計）人: 曾志華
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 中國專利代理有限公司
• 代理人: 魏金璽,盧新華

1、用氣體混合物形成的等離子體刻蝕硅半導體材料的方法的改進，這種改進包括：

由含有CHF₃和SF₆的二組份混合物形成等離子體，CHF₂的含量大于SF₆的含量，

從而實現定向刻蝕。

2、按權利要求1的改進，其中CHF₃含量大約為SF₆含量的4倍。

3、按權利要求1的改進，其中等離子體是在射頻能量約600瓦時形成的。

4、對硅半導體材料等離子體刻蝕的改進方法，此方法包括：

在上述硅表面形成一層光刻膠;

在光刻膠上確定窗口以暴露出硅表面預先確定的區域;

把SF₆和CHF₃氣體混合物引向硅片;

把電能施加到氣體混合物上以形成等離子體;

用上述等離子體刻蝕硅到所要求的深度;

從而上述硅片便被定向刻蝕。

5、按權利要求4的方法，其中氣體混合物約含有80%CHF₃和20%SF₆。

6、按權利要求4的方法，其中電能約有600瓦。

7、按權利要求4的方法，其中氣體混合物以約125SCCm速率引向硅片。

8、按權利要求4的方法，其中定向度依賴于氣體混合物中CHF₃的百分比。