[其他]多層陶瓷電路板無效
| 申請號: | 86103221 | 申請日: | 1986-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN86103221A | 公開(公告)日: | 1987-04-01 |
| 發明(設計)人: | 及川升司;山岸裕;齊藤茂;藤田毅;渡部隆好 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制造所 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K3/10;H05K3/46 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
| 地址: | 日本東京都千代*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電路板 | ||
1、一種多層陶瓷電路板,其特征包括:
a)陶瓷基片具有相對的面;
b)第一導電層裝置在所說的陶瓷基片的至少一個面上;
c)第二導電層裝置在所說的第一導電層裝置的上面,其中所說的電路板還包括:
d)擴散層裝置在所說的第一導電層裝置和第二導電層裝置之間,并作為第一和第二導電層裝置的粘合裝置。
2、根據權利要求1所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第一導電層裝置至少以第一種導電材料為主,而所說的第二導電層裝置至少以第二種導電材料為主形成,擴散層裝置中含有的至少一種組分擴散到第一和第二導電層裝置兩者中去。
3、根據權利要求2所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第一導電材料選自包括Mo、W和Mo-Mn組的材料。
4、根據權利要求3所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第二種導電材料包括Cu。
5、根據權利要求3所說的多層陶瓷電路板,其中所說的擴散層裝置含Ni。
6、根據權利要求3所說的多層陶瓷電路板,其中所說的擴散層裝置含Cu。
7、根據權利要求3所說的多層陶瓷電路板,其中所說的擴散層裝置含Ni和Cu。
8、根據權利要求2所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第二種導電材料包括Cu。
9、根據權利要求1所說的多層陶瓷電路板,其特征在于,在陶瓷基片裝置的至少一個面上有至少一層絕緣層,在陶瓷基片裝置和絕緣層之間插入導電材料層,其中至少一層絕緣層上至少有一個窗孔,穿過窗孔把一邊的導電材料層與在絕緣層另一邊相對的導電材料層實現電連接,第二導電層裝置用所說的導電材料層通過所說的擴散層裝置和所說的第一導電層裝置實現電連接。
10、根據權利要求9所說的多層陶瓷電路板,其特征在于,包括許多層絕緣層,在相鄰的兩層絕緣層之間插入導電材料層,多層絕緣層中的每一層上至少有一個窗孔,穿過窗孔使絕緣層一邊的導電材料層與位于同一絕緣層相對的另一邊的導電材料層實現電連接。
11、根據權利要求10所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第二導電層裝置位于從陶瓷基片裝置起的多層絕緣層的最遠的露出面上;所說的擴散層裝置穿過最遠的那層絕緣層窗孔向外延伸;其中所說的第一導電層裝置至少構成了最遠的那層絕緣層相對于露出面的另一邊面上導電材料層的一部分。
12、根據權利要求9所說的多層陶瓷電路板,其中所說的第二導電層裝置位于絕緣層的露出地面上;其中所說的擴散層裝置至少穿過絕緣層上的一個窗孔向外延伸;以及其中所說的第一導電層裝置至少構成了插入到陶瓷基片和至少一層絕緣層之間的導電材料層的一部分。
13、根據權利要求1所說的多層陶瓷電路板,其中在陶瓷基片裝置的兩面都有第一導電層裝置,通過陶瓷基片裝置的窗孔實現陶瓷基片裝置兩邊第一導電層裝置的電連接。
14、一種制造多層陶瓷電路板的方法,其特征在于,包括如下步驟:
a)在陶瓷絕緣基片上設置第一導電層;
b)在所說的第一層上設置能向所說的第一層中擴散至少一種組分的第二層;
c)在所說的第二層上設置第三層,第三層是導電的,并且至少有一種組分能夠擴散到第三層中去;以及
d)所說的至少一種組分擴散到所說的第一層和第三層兩者中去。
15、根據權利要求14所說的方法,其中設置第二層的步驟包括所說的至少一種組分鍍到所說的第一層上。
16、根據權利要求14所說的方法,其中設置第二層的工序有,第一步在所說的第一層上設置第一金屬層,第二步在所說的第一金屬層上設置第二金屬層。
17、根據權利要求16所說的方法,其中所說的第一金屬層和第二金屬層是不同的金屬,而且分別由所說的不同金屬鍍層形成。
18、根據權利要求17所說的方法,其中所說的第一層選自包括Mo、W和Mo-Mn組的材料;其中所說的第一金屬層有Ni;而所說的第二金屬層和所說的第三層有Cu。
19、根據權利要求14所說的方法,其特征在于,還包括在步驟b)和d)之間進行一次退火熱處理。
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