[其他]射線照相像增強器無效
| 申請號: | 86102865 | 申請日: | 1986-04-23 |
| 公開(公告)號: | CN1003025B | 公開(公告)日: | 1989-01-04 |
| 發明(設計)人: | 約翰尼·威廉穆斯·范德維爾 | 申請(專利權)人: | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號: | H01J31/50 | 分類號: | H01J31/50;H01J29/10 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 吳秉芬,杜有文 |
| 地址: | 荷蘭艾恩*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 射線 相像 增強 | ||
本發明涉及射線照相像增強管,它用來檢測諸如X輻射或γ輻射這類穿透輻射所形成的圖像。上述的象增強管包括:一個真空罩;一個用來把輸入的射線照相圖象轉換成電子圖象的輸入屏;一個用來檢測入射電子圖象的輸出屏;一個以聚焦的方式把輸入屏所發射的電子加速射到輸出屏上的裝置。上述的輸入屏包括:一個支承襯底;一個敷于該襯底上,用來把組成入射射線照相圖象的光子轉換成低能光子的輻射轉換層;一個對于上述低能光子實際上是透明的導電阻擋層;以及一個對上述低能光子的入射作出響應,向罩內真空空間發射電子的光電陰極層。
上述配置公開于德國公開專利申請DT2321869號中,其中,該阻擋層是金屬層。
在已知的、例如美國專利3838273號公開的X射線象增強器中,輸入屏包含諸如由玻璃或鋁構成的襯底,其上沉積有對X射線敏感的輻射轉換層,通常稱之為熒光層或閃爍層,例如由含有激活劑的堿金屬的鹵化物,最好是由鈉或鉈激活的碘化銫構成。該層的厚度通常約為300微米,呈表面相當不平的粒狀結構。由于兩個原因,在敷上光電陰極層之前,先將透明阻擋層敷在上述表面上。第一個原因是,為了給光電陰極層提供一個更均勻基面,它必須是非常薄的,即在5~25毫微米之間,因為它與光電子從光電陰極層逸出的逸出深度有關。第二個原因是,為了在輻射轉換層和光電陰極層之間形成化學阻擋層,以防止發生有害的化學相互作用,這些作用可能降低這兩層或其中任一層的靈敏度;這些作用發生在裝置的制作期間或其后的使用期間;當然,阻擋層本身必須不以類似的有害方式與其它各層作用。在上述美國專利中,所提到的阻擋層由一層厚度為0.1~1.0微米的氧化鋁或二氧化硅構成,在這個阻擋層上敷有厚度為0.5~3微米的導電層氧化銦,在該導電層上敷有光電陰極層,以保證在光電發射期間整個光電陰極層保持均勻電勢。
然而,當采用直徑達350毫米的大型輸入屏時,業已發現,在高強度的射線照相記錄期間,這種形式的阻擋層的導電率不能使光電陰極整個表面上保持均勻電勢。因此,人們希望采用半透明的薄的金屬導電層(例如鋁)來至少作為化學阻擋層的一部分(如前面提到的DT2321869中所做的那樣),或者如美國專利3825763及其相應的再版專利RE。29956中所述的那樣,在敷上光電陰極層之前,設法在氧化鋁阻擋層上面構成鋁的薄層。
然而,就金屬或似金屬導電層(例如鋁)來說,該導電層一方面要足夠厚,以便在輻射轉換層的不平表面上提供電連續層,并具有足夠的電傳導,同時,它又要薄得足以允許足夠的光通過,這就要求其厚度為4~10毫微米,它將使從被鈉激活的碘化銫(CsI)輻射轉換層來的波長為420毫微米的入射光的20~50%發生反射,(而在鉈激活的碘化銫情況下,對應的波長大約為450毫微米),它還會吸收大約18%的入射光。
本發明的一個目的是要提供一種對上述類型的射線照相的改進型象增強器,其中,光從輻射轉換層通過實際上透明的導電阻擋層,到達光電陰極層的轉換效率可增大和達到最大值。
根據本發明制作的這種類型射線照相象增強器,其特征在于,在輻射轉換層與導電阻擋層之間沉積形成第一中間層,在導電阻擋層與光電陰極層之間沉積形成第二中間層,第一和第二中間層的折射率都大于1,第二中間層具有的電子透射率,足能使從導電阻擋層通過的電子很容易地到達相鄰的光電陰極層;這兩個中間層的化學性質,使各自相鄰的輻射轉換層與光電陰極層感光靈敏度基本上不降低;其排列是這樣的:它使所述低能光子在第一中間層和導電阻擋層的組合與第二中間層之間的界面上的反射系數,實質上等于光電陰極層和管內真空空間之間的界面上的反射系數;第二中間層的厚度這樣選擇,使得各反射波之間的總的相位差實際上等于總光程差(2N-1)λ/2,式中λ是在有關介質中降低了能量的所述光子的波長,N是非零正整數,因此,導電阻擋層對所述低能量光子的反射被減少,以及與含有上述導電阻擋層,而沒有上述第一和第二中間層的輸入屏比較,本輸入屏的總的光電發射靈敏度在光學上達到最大值。
輻射轉換層可由堿金屬鹵化物,例如碘化銫所組成,而光電陰極層可由堿金屬銻化物,例如銻化銫〔Cs3Sb(S9)〕或三堿金屬銻化鈉鉀〔Na2KSb(Cs)(S20)〕所組成。導電阻擋層可由金屬層,例如鋁層所組成,其厚度在4~10毫微米之內,最好是5毫微米。兩個中間層可由金屬氧化物層所組成,例如第一中間層可以是厚度為22.5毫微米的氧化鈦(TiO2)層,而第二中間層可以是厚度為30毫微米的氧化錳(MnO)層。
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